先鋭マイクロバンプによる高密度・低温・エリア接続チップ積層技術(不揮発メモリと関連技術及び一般)
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概要
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積層型半導体による三次元集積化を発展させる上で重要となるマイクロ接合電極によるチップ間相互接続に関わる問題を解決することを目的に、先鋭な形状をもち、荷重印加で柔軟に変形する先鋭バンプを提案している。容易に変形することから、バンプの高さバラツキによる接合不良の抑制、接合ひずみの抑制、低温接合性などの効果が発現する。Au製のバンプを用いて先鋭バンプのこれらの機能を検証した結果を述べるとともに、20μmピッチでチップ当たり10,000接点以上の接続が可能であること、150℃の接合温度で充分な接合強度が得られることを示す。
- 2008-03-07
著者
-
渡辺 直也
北海道大学 大学院医学研究科法医学
-
浅野 種正
九工大マイクロ化センター
-
浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
渡辺 直也
くまもとテクノ産業財団事業開発センター
-
岩崎 裕
九州大学大学院システム情報科学
-
浅野 種正
九州工大
-
Asano Tanemasa
Center For Microelectronics Systems Kyushu Institute Of Technology
-
渡辺 直也
北海道大学大学院医学研究科
-
Asano Tanemasa
Center For Microelectrortic Systems Kyushu Institute Of Technology
-
渡辺 直也
九州大学大学院システム情報科学研究院:福岡県産業・科学技術振興財団
-
浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学府
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