マイクロ波励起プラズマ酸化による歪みSi/SGOI側壁へのGe濃縮抑制(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
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概要
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歪みSi/SiGeおよび、歪みSi/SGOI-MOSFETのゲート絶縁膜としてマイクロ波励起プラズマ酸化膜の適用を検討した。プラズマ酸化膜形成後、低温wet酸化処理を加えることで界面準位が大幅に減少することが分かった。また、wet処理を行ったプラズマ酸化を用いたGe濃度15%の歪みSi-nMOSFETを作製した結果、歪みSi素子はバルクSi素子に比べ72%の相互コンダクタンスの増大することを確認した。歪みSi/SGOI-pMOSFETでは、800℃のドライ酸化を適用するとMESA分離により露出したSiGe層の酸化によって形成されるGe濃縮層に起因するリーク電流が発生した。一方で、プラズマ酸化を行うと側壁部でのGe濃縮が抑制されるためにリーク電流が抑制されることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-23
著者
-
浅野 種正
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
-
浅野 種正
九工大マイクロ化センター
-
浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
浅野 種正
九州工大
-
Asano Tanemasa
Center For Microelectronics Systems Kyushu Institute Of Technology
-
Asano Tanemasa
Center For Microelectrortic Systems Kyushu Institute Of Technology
-
西坂 美香
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
西坂 美香
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
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