西坂 美香 | 九州工業大学 マイクロ化総合技術センター

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• 浅野 種正

  九州工業大学 マイクロ化総合技術センター

• 西坂 美香

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• 西坂 美香

  九州工業大学 マイクロ化総合技術センター

• 浅野 種正

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• Asano Tanemasa

  Center For Microelectronics Systems Kyushu Institute Of Technology

• 浅野 種正

  九工大マイクロ化センター

• 浅野 種正

  九州工大

• 牧平 憲治

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 中川 豪

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 中川 豪

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• Asano Tanemasa

  Center For Microelectrortic Systems Kyushu Institute Of Technology

• 牧平 憲治

  関西大

• 松本 珠美江

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• 吉田 敦信

  九州工業大学 マイクロ化総合技術センター

• 浅野 種正

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著作論文

• マイクロ波励起プラズマ酸化による歪みSi/SGOI側壁へのGe濃縮抑制(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• マイクロ波励起プラズマ酸化による歪みSi/SGOI側壁へのGe濃縮抑制(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 歪みSi/SiGe上に形成したマイクロ波励起プラズマ酸化膜の特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 歪みSi/SiGe上に形成したマイクロ波励起プラズマ酸化膜の特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• ショットキー・ソース/ドレインMOSFETによるキンク電流の抑制
• 浅くドープしたエクステンションをもつnチャネル・ショットキーソース/ドレインSOI-MOSFET
• ショットキー・ソース/ドレインMOSFETによるキンク電流の抑制
• ゲート酸化膜を薄膜化したショットキーソース/ドレインSOI-MOSFETの特性

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