中川 豪 | 九州大学大学院システム情報科学研究院
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概要
関連著者
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中川 豪
九州大学大学院システム情報科学研究院
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Asano Tanemasa
Center For Microelectronics Systems Kyushu Institute Of Technology
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浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学研究院
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浅野 種正
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
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中川 豪
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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浅野 種正
九工大マイクロ化センター
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浅野 種正
九州工大
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Asano Tanemasa
Center For Microelectrortic Systems Kyushu Institute Of Technology
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柴田 憲利
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学府
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牧平 憲治
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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牧平 憲治
関西大
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渡邉 一徳
九州大学大学院システム情報科学府
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石田 雄二
九州大学大学院システム情報科学研究院
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渡邉 一徳
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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江崎 真彦
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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櫻木 進
住友重機械工業株式会社
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工藤 利雄
住友重機械工業株式会社
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工藤 利雄
住友重機械工業(株)技術開発センター
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櫻木 進
住友重機械工業(株)平塚研究所
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過能 慎太郎
九州大学大学院システム情報科学研究院
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永田 翔
九州大学大学院システム情報科学研究院
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西坂 美香
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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鹿野 隆頼
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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鹿野 隆頼
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
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西坂 美香
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
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浅野 種正
(現)九州大学大学院システム情報科学研究院
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中川 豪
(現)九州大学大学院システム情報科学研究科
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浅野 種正
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
著作論文
- プラズマCVD a-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- プラズマCVD a-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 静電型インクジェットによる微細液滴吐出とSiの金属誘起固相誘起結晶化への応用(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 静電型インクジェットによる微細液滴吐出とSiの金属誘起固相誘起結晶化への応用(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 静電型インクジェットによる微細液滴吐出とSiの金属誘起固相誘起結晶化への応用(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 固相とレーザーの組み合わせ結晶化による結晶方位制御の可能性
- ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Ni供給量制限下におけるMILC成長に電界印加が及ぼす影響(有機EL, TFT,及び一般)
- Ni供給量制限下におけるMILC成長に電界印加が及ぼす影響(有機EL, TFT,及び一般)
- Ni供給量制限下におけるMILC成長に電界印加が及ぼす影響(有機EL, TFT,及び一般)
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性
- Si薄膜のNi供給量制限MILC成長における電界印加効果(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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- ショットキー・ソース/ドレインMOSFETによるキンク電流の抑制
- ショットキー・ソース/ドレインMOSFETによるキンク電流の抑制
- Niシリサイド・ショットキー障壁ソース/ドレインSOI-MOSFETの特性
- Niシリサイド・ショットキー障壁ソース/ドレインSOI-MOSFETの特性