Ni供給量制限下におけるMILC成長に電界印加が及ぼす影響(有機EL, TFT,及び一般)
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概要
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金属誘起横方向結晶化(Metal-Induced Lateral Crystallization)においてNi供給量制限下において電界を印加した場合のMILC成長特性を調査し、MILC結晶成長機構と電界の影響について検討した。電界を印加した場合の成長距離は、電界を印加しない場合と比較して正極側で増速し、負極側では減速した。正極側の成長を観察すると、MILC結晶及び針状結晶群が成長し、結晶成長端では成長が不連続で互いに独立した針状結晶群が成長していた。この正極側の成長メカニズムを調べるため、Ni供給を停止した状態で電界印加した場合の成長特性の調査を行った。Ni供給停止下における正極側の成長距離は、Ni供給を停止せずに電界を印加した場合と比較して大幅に減少し、独立した針状結晶は発生しなかった。これらの結果から、電界はMILC成長を促進しているのではなくa-Si中へのNiの拡散を促進していると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-04-09
著者
-
浅野 種正
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
-
牧平 憲治
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
中川 豪
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
中川 豪
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
Asano Tanemasa
Center For Microelectronics Systems Kyushu Institute Of Technology
-
牧平 憲治
関西大
-
柴田 憲利
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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