SOI-MOSFET/ダイオード複合デバイスにおける光検出特性のゲート電位依存性
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概要
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フォトダイオードの光電流をSOI-MOSFETのバイポーラトランジスタ動作によって増幅する方式の複合デバイスにおける光検出特性のゲート電極の存在ならびにその電位の効果を実験的に調査した。SOI-MOSFETのバイポーラ動作における電流増幅率は、ゲート電極の存在およびゲート電位によって変化し、ゲート電極に適切な仕事関数をもつ材料を用い、さらに電気的にフローティングで動作させることで、トランジスタの遮断電流を増加させることなく、大きな電流駆動能力を得ることができる。この効果を部分空乏型の素子についてnチャネル、pチャネルの両方で確認した。本報告では、この効果をもつSOI-MOSFETを複合デバイスとして利用した場合について検討を行い、暗電流の増加を伴うことなく、高感度な光検出が行えることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-08
著者
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