PtSiショットキー障壁 SOI-MOSFET
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概要
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Ptシリサイド・ショットキー接触をソース/ドレインに用いたSOI-MOSFETを試作し、その動作検証を行った。Bulk素子も試作し、比較検討した。SOI素子は、ソース/チャネル接触における正孔の熱注入によるpチャネル動作と、電子のフィールドエミッションによるnチャネル動作が可能であることが分かった。さらにSOI素子はBulk素子で生ずるドレイン/基板接触での電子のフィールドエミッションによる逆方向漏れ電流を充分に抑制でき、良好な電流遮断特性が得られることが分かった。
- 1999-03-10
著者
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