金属誘起横方向結晶化におけるSi単結晶細線の成長特性(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
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概要
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金属誘起横方向結晶化においてNi供給量を制限し、アニール温度を低温化することによってSi細線の形成を試みた。この方法によってa-Si膜厚が100nmのとき幅が約100nm、長さ10μm以上のSi細線を形成することができた。この細線成長特性はa-Si膜厚が薄い場合には、幅が成長方向に拡がる結晶が連なった形となる。また、成長方向が頻繁に変化し、分岐の多い結晶となる。一方、a-Si膜厚が厚い場合には、結晶は幅が一定の直線上となるが、厚くなるにつれて立体的に交錯すようになる。このSi細線の成長機構を調べるため、MILC成長時における自然核形成密度の距離依存性を評価した。自然核形成密度はガウス分布で近似できることから、核形成密度の増加はNiの拡散によるものであることが示唆される。このa-Si中に拡散したNiがSi細線成長結晶成長に影響を与えると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-08
著者
-
浅野 種正
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
-
牧平 憲治
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
Asano Tanemasa
Center For Microelectronics Systems Kyushu Institute Of Technology
-
牧平 憲治
関西大
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