陽極化成で形成したSiフィールドエミッタの電子放出特性
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概要
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p型シリコン基板にn型層を形成した構造において陽極化成を行った際に、n型領域下に形成される針状構造をフイールドエミッタとする真空マイクロ素子の電子放出特性について評価を行った。n型領域は水素イオン注入で形成した。陽極化成後の熱処理による水素注入層のp型への回復について検討した。また放出電子安定化のための電流制御素子を集積化することを目的として、水素注入した層にpnp型バイポーラトランジスタを試作した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-12-11
著者
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