高速指向の新しいSOI-CBiCMOS複合デバイス
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概要
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新しいSOI複合CBiCMOS構造実現した。CMOSのMOSFETのドレイン領域にエミッタを多結晶拡散法で導入することによってバイポーラトランジスタを内蔵した構造である。張り合わせと研磨法を併用してプルアップ、プルダウンデバイスを完全分離し、さらに高速化に有利なボトムゲート、コレクタトップ構造を実現した。バイポーラ機構によるMOSFET電流の増幅、インバータ動作、および高い負荷駆動りょくを持つことを実験的に確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-07-22
著者
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