イオンビーム改質したフォトレジストからの電子放出
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概要
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ノボラック系フォトレジストをイオンビーム照射で改質した材料から電子の電界放出が得られることを見出した. また, その微小電子源への応用について検討した. フォトレジストにArイオンを10^<16>cm^<-2>まで照射すると, フォトレジストに導電性が発現し, それに伴い電子の電界放出が得られた. ラマン散乱分光より, イオン照射で炭素-炭素結合が生成されることがわかった. 放出電流は合成ダイヤモンドに比べ, 安定であった. 単結晶Siのモールド法を利用してフィールドエミッタアレイを試作した. 1200個のチップで構成されたアレイから40μAの電流が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-12-12
著者
-
浅野 種正
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
-
比嘉 勝也
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
篠栗 大助
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
野間口 葉子
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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