歪みSi/SiGe上に形成したマイクロ波励起プラズマ酸化膜の特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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概要
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歪みSi/SiGe-MOSFETのゲート酸化膜としてマイクロ波励起プラズマ酸化膜を適用を検討した.プラズマ酸化と熱酸化における歪みSiの酸化前後の表面ラフネスをAFMで観察するために,同一エリアを複数回観察できる定点AFM観察法を用いた.熱酸化法を適用すると酸化速度が歪みの空間分布の影響を受けるため,クロスハッチパターンに沿ってラフネスが増大するが,酸化膜の成長が拡散律速されるマイクロ波励起プラズマ酸化の場合,ラフネスの増加は抑えられ均一に酸化することがわかった.また,Ge濃度15%の歪みSi-MOSFETを作製を行った結果,バルクSi素子に比べ70%の相互コンダクタンスの増大を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-23
著者
-
浅野 種正
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
-
浅野 種正
九工大マイクロ化センター
-
浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
浅野 種正
九州工大
-
Asano Tanemasa
Center For Microelectronics Systems Kyushu Institute Of Technology
-
西坂 美香
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
西坂 美香
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
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