BiCMOS回路用低電圧動作BJTの検討
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概要
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電源の低電圧化が進む中で、BiCMOS回路はその優位性が失われつつあるその原因は、電圧が拡散電位以下になるとバイポーラ接合トランジスタ(BJT)が動作できなくなるためである。本研究では、拡散電位以下でも動作できるBJTの可能性を探ることを目的として、通常のNPNトランジスタよりp形ベース層を高濃度にした、n^<++>p^<++>n型トランジスタを試作し、エミッタからの電子の供給を拡散注入ではなくトンネル注入で動作させる可能性を実験で調べてみた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
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