SOI MOSFETのバイポーラ効果による光電流増加
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概要
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新たな受光素子として、部部空乏型SOI MOSFETのフローティングボディにフォトダイオードを接続した複合デバイスを提案し、その動作を実験検証した。このデバイスはフォートダイオードの光励起されたキャリアをMOSFETのフローティングボディに蓄積させ、MOSのラテラルバイポーラ動作を利用し電流増幅するものである。本報告では、pチャネルSOI MOSFETと基板Si中に形成したn+pフォトダイオードの複合デバイスを試作した。その結果、増幅率はMOSFETのゲート長を短くするとともに増加し、試作したデバイスでMOSFETのゲート長0.8μmの場合、約70倍の増幅を確認した。ゲートを浮遊状態にすることでより大きな電流増幅効果が得られることも示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-23
著者
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