プラズマ・ゲート酸化が多結晶シリコンTFTの特性に与える効果(Thin Film Devices and Systems, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)
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概要
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プラズマ酸化でゲート酸化膜を形成した多結晶シリコンTFTの動作特性を、熱酸化でゲート酸化膜を形成したものと比較して調査した。多結晶シリコンは固相結晶化法で作製したものを用いた。プラズマ酸化は、純粋酸素ガスを2.45GHzのマイクロ波で励起し、加熱温度400℃で行った。この低温でのプラズマ酸化は、拡散律速で酸化が進行するため、反応律速で酸化が進行する高温(900℃)での熱酸化に比べてゲート酸化膜/多結晶シリコン界面が平滑になる。TFT特性の温度依存性を調査した結果、プラズマ酸化では界面の平滑化の効果に加えて、多結晶シリコン活性層中の電気的に活性な結晶欠陥が不活性化するという効果があることがわかった。これらの効果で、プラズマ酸化でゲート酸化膜を形成した多結晶シリコンnチャネルTFTは、熱酸化でゲート酸化膜を形成したTFTに比べて2倍以上の高いキャリヤ移動度を示すことがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-23
著者
-
馬場 昭好
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
-
浅野 種正
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
-
浅野 種正
九工大マイクロ化センター
-
浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
浅野 種正
九州工大
-
Asano Tanemasa
Center For Microelectronics Systems Kyushu Institute Of Technology
-
Asano Tanemasa
Center For Microelectrortic Systems Kyushu Institute Of Technology
-
馬場 昭好
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
新 千弘
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
馬場 昭好
九州工業大学
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