5H-6 再構成型アナログデバイスを用いた画像認識処理の高速化
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
FPGAによるDSP向け多機能メモリの実現
-
HDL記述によるディジタル回路の複数FPGAに対する分割手法
-
タイミング制約違反を利用する設計手法とコ・シミュレーション環境による評価(回路・設計手法)
-
タイミング違反を利用するマイクロアーキテクチャの演算器における遅延を考慮した評価(集積回路技術とアーキテクチャ技術の協調・融合へ向けた,プロセッサ,並列処理,システムLSIアーキテクチャ及び一般)
-
FPGA/CPU混載システムのためのC言語による協調設計環境の実現(コデザイン)(VLSIの設計/検証/テスト及び一般)(デザインガイア2004-VLSI設計の新しい大地を考える研究会)
-
FPGA/CPU混載システムのためのC言語による協調設計環境の実現(コデザイン)(VLSIの設計/検証/テスト及び一般)(デザインガイア2004-VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
-
FPGA/DSPベースシステムによる組込みシステム設計教育(コンピュータシステム)
-
FPGA/CPU混載システムのためのC言語による協調設計環境の実現 (デザインガイア 2004--VLSI設計の新しい大地を考える研究会)
-
FPGAによるDSP向け多機能メモリの実現(システムLSIの応用とその要素技術,専用プロセッサ,プロセッサ,DSP,画像処理技術,及び一般)
-
C-4 HW/SW協調動作に対するブロックダイアグラム環境利用に関する一評価(FPGA,C.アーキテクチャ・ハードウェア)
-
FPGA/DSPによる協調処理環境の構築
-
SHOKE2000:PCI-Based FPGA Cardの開発とその評価
-
FPGAを実装したPCIカードによる分散共有メモリ型並列計算機の構築
-
インクジェット法で作製したカーボンブラックからの電界電子放出
-
インクジェット法で作製したカーボンブラックからの電界電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
-
有機物のイオン照射改質によるマイクロコールドエミッタ材料の創製
-
(3) 学部教育での集積回路チップ設計製作実習(第1セッション 教育システム(1))
-
イオンビーム改質したフォトレジストからの電子放出
-
陽極化成で形成したSiフィールドエミッタの電子放出特性
-
陽極化成による単結晶シリコンフィールドエミッタの製作
-
(44)マイクロ構造を利用した新分野の実習教育 : 集積回路からバイオセンサーまで(第13セッション 教材の開発(I))
-
マランゴニ効果を用いたマイクロアクチュエーター
-
イオン照射による薄膜の変形現象を利用して作製した電界放出型電子源(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
-
ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
-
イオン照射による薄膜の変形現象を利用して作製した電界放出型電子源(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
-
ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
-
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
C-12-5 SiPの実装条件が高速インターフェイスの伝送特性に及ぼす影響(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),エレクトロニクス2)
-
インクジェット法による高精度配列電子源アレイの作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
-
インクジェット法で作製したカーボンブラックからの電界電子放出
-
金属誘起横方向結晶化のNi供給量制限下における結晶成長特性
-
金属誘起横方向結晶化のNi供給量制限下における結晶成長特性
-
金属誘起横方向結晶化のNi供給量制限下における結晶成長特性
-
熱拡散法によるCMOSデバイスの試作(3) : インバータ回路の製作・まとめ
-
熱拡散法によるCMOSデバイスの試作(1) : 試作プロセスの検討
-
真空マイクロデバイスへの応用
-
一軸応力下におけるSOI MOSFETの基板浮遊効果(SiP応力解析技術, 先端電子デバイス実装技術と解析・評価技術の最新動向論文)
-
Ni供給量制限下におけるMILC成長に電界印加が及ぼす影響(有機EL, TFT,及び一般)
-
Ni供給量制限下におけるMILC成長に電界印加が及ぼす影響(有機EL, TFT,及び一般)
-
Ni供給量制限下におけるMILC成長に電界印加が及ぼす影響(有機EL, TFT,及び一般)
-
金属誘起横方向結晶化におけるSi単結晶細線の成長特性(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
-
金属誘起横方向結晶化におけるSi単結晶細線の成長特性(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
-
金属誘起横方向結晶化におけるSi単結晶細線の成長特性(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
-
金属インプリント法による結晶粒位置制御と単結晶Si薄膜トランジスタへの応用(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
-
完全自己整合型ダブルゲート poly-Si TFT
-
完全自己整合型ダブルゲートpoly-Si TFT
-
金属インプリント法による多結晶シリコンの核発生制御
-
SC-8-7 金属インプリント法による結晶粒位置制御と薄膜トランジスタへの応用
-
金属インプリント法による結晶粒位置制御と単一結晶粒Si薄膜トランジスタへの応用
-
C-12-1 VS-MOSによる自律適応的電力・速度制御型論理システム(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),エレクトロニクス2)
-
FPGAを実装したPCIカードによる分散共有メモリ型並列計算機の構築
-
FPGAを実装したPCIカードによる分散共有メモリ型並列計算機の構築
-
2H-4 PCIカードを用いた共有メモリ制御モジュールの設計
-
次世代ULSI用歪シリコンウェーハの開発(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
-
次世代ULSI用歪シリコンウェーハの開発(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
-
ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性
-
ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
-
ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
-
ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
-
ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性
-
ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性
-
Si薄膜のNi供給量制限MILC成長における電界印加効果(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
-
Si薄膜のNi供給量制限MILC成長における電界印加効果(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
-
FPGAによるDSP向け多機能メモリの実現(システムLSIの応用とその要素技術,専用プロセッサ,プロセッサ,DSP,画像処理技術,及び一般)
-
FPGAによるDSP向け多機能メモリの実現(システムLSIの応用とその要素技術,専用プロセッサ,プロセッサ,DSP,画像処理技術,及び一般)
-
FPGAによるDSP向け多機能メモリの実現(システムLSIの応用とその要素技術,専用プロセッサ,プロセッサ,DSP,画像処理技術,及び一般)
-
FPGAによるDSP向け多機能メモリの実現
-
SOI-MOSFETによる光検出
-
スタンプ法による有機材料の構造形成と電界放出型微小電子源への応用
-
FPGA/CPU混載システムのためのC言語による協調設計環境の実現(コデザイン)(VLSIの設計/検証/テスト及び一般)(デザインガイア2004-VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
-
FPGA/CPU混載システムのためのC言語による協調設計環境の実現(コデザイン)(VLSIの設計/検証/テスト及び一般)(デザインガイア2004-VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
-
複数FPGAによるラピッドシステムプロトタイピング環境 : システム集積化LSIコデザイン開発環境の構築に向けて
-
複数FPGAによるラピッドシステムプロトタイピング環境 : システム集積化LSIコデザイン開発環境の構築に向けて
-
マルチFPGAによるラピッドシステムプロトタイピング環境
-
Si/SiGeヘテロ接合コレクターによるトレンチIGBTの低損失化
-
SOI-MOSFET/ダイオード複合デバイスにおける光検出特性のゲート電位依存性
-
SOI-MOSFET/ダイオード複合デバイスにおける光検出特性のゲート電位依存性
-
SOI-MOS素子による光電流増幅
-
SOI MOSFETのバイポーラ効果による光電流増加
-
SOI MOSFETのバイポーラ効果による光電流増幅
-
SOI-MOS素子による光電流増幅
-
EID2000-20 SOI-MOS素子による光電流増幅
-
プラズマ・ゲート酸化が多結晶シリコンTFTの特性に与える効果(Thin Film Devices and Systems, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)
-
マイクロ波励起プラズマ酸化による歪みSi/SGOI側壁へのGe濃縮抑制(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
-
プラズマ・ゲート酸化が多結晶シリコンTFTの特性に与える効果(Thin Film Devices and Systems, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)
-
タイミング違反を利用するマイクロアーキテクチャの演算器における遅延を考慮した評価(集積回路技術とアーキテクチャ技術の協調・融合へ向けた,プロセッサ,並列処理,システムLSIアーキテクチャ及び一般)
-
FPGA/DSPによる協調処理環境の構築
-
FPGA/DSPによる協調処理環境の構築
-
5H-5 DSPとCPUによるジェスチャ認識プログラムの作成
-
教育用マイクロプロセッサKITEによる設計教育事例(第2報)
-
教育用マイクロプロセッサKITEによる設計教育の事例報告
-
教育用マイクロプロセッサKITEを利用した設計教育事例
-
5H-6 再構成型アナログデバイスを用いた画像認識処理の高速化
-
C-12-63 再構成型アナログアレイ向きA/Dコンバータの設計
-
プログラマブルデバイスを用いたアナログ/ディジタル混在回路
-
FPGAを用いた論理エミュレータにおけるRTレベルのHDL分割手法
-
2H-5 FPGA/DIMMを実装したPCIカードの作製
-
教育用マイクロプロセッサKITEによる設計教育の事例報告
-
KITE : 書変え可能なLSIを用いた教育用マイクロプロセッサ
-
教育用マイクロプロセッサKITEとその開発支援環境
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク