EID2000-20 SOI-MOS素子による光電流増幅
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概要
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新たな受光素子として、SOI MOSFETとフォトダイオードからなる複合デバイスの提案を行い、その基本的動作を実験検証した。SOI MOSFETのフローティングボディにフォトダイオードを接続し、ダイオードでの光電流をSOI MOSFETのラテラルバイポーラ効果を利用して増幅し、ドレイン出力電流とすることを狙ったデバイスである。本報告では、部分空乏型pチャネルSOI MOSFETとSIMOXウェハの基板Si中に形成したn^+pフォトダイオードの複合デバイスを試作し、分光感度特性と光強度依存性、増幅率のゲート長依存性について示す。その結果、増幅率はMOSFETのゲート長を短くするとともに増加し、試作したデバイスでMOSFETのゲート長0.8μmの場合、約70倍の増幅を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-16
著者
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