浅くドープしたエクステンションをもつnチャネル・ショットキーソース/ドレインSOI-MOSFET
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概要
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ショットキー・ソース/ドレインSOI-MOSFETのチャネルに隣接した領域に浅いエクステンションを設けた新しい構造の素子に関する研究を行った。浅いエクステンションはSb(アンチモン)をドープすることで形成した。ショットキー・ソース/ドレインSOI-MOSFETはソース障壁によってドレイン電流が制限され、かつ漏れ電流が大きいという問題があるが、これにエクステンションを付加することで、駆動電流の増加と漏れ電流の抑制が可能であることを実験的に示した。またエクステンションの不純物濃度をあげることで電流駆動力も向上することがわかった。ボディーコンタクトを設けた素子も作製し、pnソース/ドレインの素子とラテラルバイポーラ特性について比較を行い、ソース側のショットキー障壁による基板浮遊効果抑制に対する有効性を示した。
- 2002-12-13
著者
-
浅野 種正
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
-
浅野 種正
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
西坂 美香
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
松本 珠美江
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
-
西坂 美香
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
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