RIEにより作製した有機物針状突起群を電子源とする三極素子の作製
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概要
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イオンビーム照射して改質したフォトレジストに酸素RIE処理を施すことで形成される,針状突起群の形成メカニズムについて調べ,これらを用いたゲート付き電子源の作製を行った。オージェ電子分光法およびSEM観察の結果,反応チャンバー壁面からスパッタされたFe微粒子がフォトレジスト表面に付着することが針状突起群形成に寄与しているとことが分かった.針状突起群を用いたゲート付き電子源を自己整合的に作製するプロセスを確立した.作製した素子の電界電子放出を確認し,しきい値電圧40V,ゲート電圧100Vで放出電流10^-6A台を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-06
著者
-
吉田 知也
産業技術総合研究所
-
馬場 昭好
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
-
吉田 知也
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
-
浅野 種正
九州工業大学 マイクロ化総合技術センター
-
吉田 知也
九州工業大学大学院情報工学研究科:(現)九州大学大学院システム情報科学研究院
-
馬場 昭好
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
馬場 昭好
九州工業大学
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