二層レジストを用いたvolcano型ダブルゲートスピント型エミッタの作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス)

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概要

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volcano型ダブルゲートエミッタは良好な集束特性を持っていることが報告されているが、これまでは、シリコン基板をエッチングして作製したようなエッチング法によるエミッタでしか作製した報告例はなかった。しかし、シリコンエミッタアレイなどは、基板を介してエミッタ全体が同電位になってしまうためマトリクス駆動が出来ないという問題があった。一方、FEDやイメージセンサーなどで用いられているスピント型エミッタでは、ゲート電極が先に形成されてしまうため、volcano型を作ることが出来なかった。今回、通常のスピント型エミッタの作製方法とは異なり、二層のレジストを犠牲層としてスピント型エミッタを作製し、その後からゲート電極をエッチバック法により作製することで、volcano型ダブルゲートスピントエミッタを作製することに成功した.
一般社団法人電子情報通信学会の論文
2013-10-15

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