Siフィールドエミッタの表面改質による真空封止処理耐性の向上
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概要
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Siフィールドエミッタは真空封止すると超高真空の場合と比べて特性が著しく劣化することが問題となっている.この原因は封止プロセスの中の加熱処理によりSi表面が酸化するからであることを, XPSによる表面分析と電子放出特性の変化から明らかにした.また, SiフィールドエミッタをCHF_3プラズマに暴露することでの表面改質を行い, この特性劣化を防止することを試みた.プラズマ処理したSiエミッタは超高真空中では, 処理していないSiエミッタとほぼ同じ特性を示し, しかも真空封止しても特性が全く劣化しないことを確認した.この方法を用いて, MOSFET構造フィールドエミッタの封止管内での動作に初めて成功した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-07
著者
-
長尾 昌善
産業技術総合研究所
-
金丸 正剛
産業技術総合研究所
-
田辺 尚雄
大日本印刷(株)
-
伊藤 順司
電子技術研究所
-
伊藤 順司
電子技術総合研究所プロセス基礎研究室
-
伊藤 順司
産業技術総合研究所
-
金丸 正剛
電子技術総合研究所
-
伊藤 順司
電子技術総合研究所
-
長尾 昌善
電子技術総合研究所
-
松川 貴
電子技術総合研究所
-
松川 貴
産業技術総合研究所
-
松川 貴
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
金丸 正剛
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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