タワー型電子源の諸特性
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概要
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理想構造に近い縦型構造電子源の実現に向けて我々が提案している極微小構造の「タワー型シリコン電子源」の低電圧動作と大電流化を図るために、構造とプロセスの最適化を図った。まず構造パラメータが陰極先端部に集中する電界強度に与える影響を明かにした。次に、VLSI技術によりサブミクロンのゲートロ径と急峻な陰極先端形状を有する高密度電子源のアレイを均一に形成するプロセスを確立した。極微小構造のタワー型電子源アレイを作製することにより低電圧動作に加えて、大電流密度と安定な電界放射が得られることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-14
著者
-
堀 義和
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
金丸 正剛
電総研
-
伊藤 順司
産業技術総合研究所
-
古賀 啓介
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
金丸 正剛
通商産業省工業技術院電子技術総合研究所
-
伊藤 順司
通商産業省工業技術院電子技術総合研究所
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