金丸 正剛 | 電総研
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概要
関連著者
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金丸 正剛
電総研
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金丸 正剛
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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金丸 正剛
産業技術総合研究所
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長尾 昌善
産業技術総合研究所
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伊藤 順司
産業技術総合研究所
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根尾 陽一郎
静岡大学電子工学研究所
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三村 秀典
静岡大学電子工学研究所
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根尾 陽一郎
静岡大学 電子工学研究所
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吉田 知也
産業技術総合研究所
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根尾 陽一郎
静岡大学・電子工学研究所
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三村 秀典
The Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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吉田 知也
独立行政法人 産業技術総合研究所
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青木 徹
静岡大学・電子工学研究所
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青木 徹
静岡大学電子工学研究所
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金丸 正剛
電子技術総合研究所
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伊藤 順司
電子技術総合研究所プロセス基礎研究室
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伊藤 順司
電子技術総合研究所
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三村 秀典
静岡大学・電子工学研究所
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武田 匡史
静岡大学電子工学研究所
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森井 久史
静岡大学・電子工学研究所
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山下 進
静岡大学電子工学研究所
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中川 雅史
静岡大学・電子工学研究所
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松原 勝見
静岡大学・電子工学研究所
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森井 久史
静岡大学電子工学研究所
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松原 勝見
静岡大学電子工学研究所
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惣田 崇志
静岡大学 電子工学研究所
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恒川 裕輝
静岡大学・電子工学研究所
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惣田 崇志
静岡大学電子工学研究所
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中川 雅史
静岡大学電子工学研究所
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安室 千晃
産業技術総合研究所
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田上 智也
静岡大学電子工学研究所
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堀江 瞬
静岡大学電子工学研究所
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恒川 裕輝
静岡大学電子工学研究所
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伊藤 順司
電総研
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谷口 昌照
双葉電子工業株式会社
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伊藤 茂生
双葉電子工業
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伊藤 茂生
Futaba Corporation
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堺 俊克
NHK放送技術研究所
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平野 貴之
(株)神戸製鋼所
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堀 義和
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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石井 賢一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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山下 進
静岡大学・電子工学研究所
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斎藤 信雄
NHK放送技術研究所
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斎藤 信雄
(株)国際電気通信基礎技術研究所
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塙 裕一郎
静岡大学電子工学研究所
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坂田 拓也
静岡大学電子工学研究所
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韓 貴
静岡大学電子工学研究所
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三村 秀典
静岡大学大学院電子科学研究科
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鈴木 英一
電総研
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西 孝
産業技術総合研究所
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清水 貴思
産業技術総合研究所
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長尾 昌善
独立行政法人産業技術総合研究所
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金丸 正剛
独立行政法人産業技術総合研究所
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田上 尚男
産業技術総合研究所
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西 孝
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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古賀 啓介
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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清水 貴思
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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堺 俊克
NHK技研
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長尾 昌善
独立行政法人 産業技術総合研究所
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中村 和仁
双葉電子工業株式会社
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丸島 吉久
双葉電子工業
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萩原 啓
NHK放送技術研究所
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當間 康
(株)荏原総合研究所
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當間 康
荏原総研
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當間 康
荏原総合研究所
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田上 尚男
電総研
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堤 利幸
電総研
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根尾 陽一郎
静岡大学 大学院電子科学研究科
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三村 秀典
静岡大学 電子科学研究所
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青木 徹
静岡大学 電子工学研究所
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冨澤 一隆
明治大学大学院理工学研究科
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清水 啓三
電子技術総合研究所
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石井 賢一
電総研
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神田 信子
産業技術総合研究所
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大崎 壽
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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武田 匡史
静岡大学 電子工学研究所
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伊藤 順司
電子技術研究所
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廣島 洋
電総研
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小澤 健
武蔵工業大学
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森本 廉
松下電器産業株式会社 中央研究所
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平野 貴之
神戸製剛
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小澤 健
武蔵工大
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安室 千晃
東海大
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金丸 正剛
通商産業省工業技術院電子技術総合研究所
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伊藤 順司
通商産業省工業技術院電子技術総合研究所
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森本 廉
松下電器産業 (株) 半導体研究センター
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冨澤 一隆
明治大学
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石崎 守
凸版印刷材料プロセス開発センター
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蒲生 秀典
凸版印刷エレクトロニクス研究所
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金丸 正剛
工業技術院電子技術総合研究所
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鹿川 能孝
双葉電子工業(株)
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蒲生 秀典
凸版印刷 総研
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長尾 正善
産業技術総合研究所
著作論文
- 超高輝度フィールドエミッションディスプレイの試作(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- メモリー機能を有するフィールドエミッタアレイの作製 : 超高輝度フィールドエミッションディスプレイに向けて(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- VTF-FEAを用いたCdTe X線イメージングデバイスの開発
- 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 高収束電子ビームを目指した静電レンズ一体型フィールドエミッタの作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 薄膜立体化技術を用いたFEA作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 : FEAを用いた新規アプリケーションの提案(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 : FEAを用いた新規アプリケーションの提案(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- フィールドエミッションアレイを用いたX線イメージング技術
- 高精細FED用ダブルゲートFEAの開発
- 高精細FED用ダブルゲートFEAの開発(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- デバイス特性による Si ナノ細線の評価と自己抑止酸化による細線幅の改善
- 絶縁膜上での世界最小のゲ-ト長40nmMOSFETの試作に成功
- 3)[チュートリアル]MOSトランジスタ機能を有する電界放射型電子エミッタ(情報ディスプレイ)
- 不純物ド-ピングによるシリコン電界放射エミッタの特性制御
- メモリ機能を有するシリコンTFTで制御されたフィールドエミッタアレイ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- メモリ機能を有するシリコンTFTで制御されたフィールドエミッタアレイ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- タワー型電子源の諸特性
- 低電圧化シリコン微構造電子源
- 極微小収束電子銃の試作
- 縦型金属薄膜フィールドエミッタ
- フィールドエミッションディスプレイ(FED)
- 集積型電界放出電子源の製作
- 高安定化収束電子銃の開発
- シリコン電界放射列の放射特性
- 第7回真空マイクロエレクトロニクス国際会議報告
- ディスクエッジ形電解放射エミッタの製作
- 6)〔チュートリアルJ〕微小フィールドエミッタを利用した面電子源とその応用(情報ディスプレイ研究会)
- 微小フィールドエミッタを利用した面電子源とその応用 : 情報ディスプレイ
- 4)微小フィールドエミッタアレイの特性とその応用(情報入力研究会)
- 微小フィールドエミッタアレイの特性とその応用 : 情報入力
- 極微小真空管 : 真空マイクロエレクトロニクス(波形等化技術)
- 微小フィ-ルドエミッタアレイとその応用 (マイクロマシニング)
- 第3回真空マイクロエレクトロニクス国際会議報告
- 微小フィールドエミッタアレイとその応用
- 12-5 Vertical Thin Film Field Emitter Arrayを用いたCdTe X線イメージングデバイス(第12部門 センシング2)
- 12-6 FEA駆動CdTe-X線イメージセンサ(第12部門 情報センシング2)
- 14-6 高精細FED用ダブルゲートFEA(第14部門 情報ディスプレイ2)
- 1-3 電流量減少を抑制するダブルゲートFEA構造の提案(第1部門 情報ディスプレイ&ストレージ)
- 1-6 FEA駆動フォトンカウンティング型CdTe-X線イメージングデバイス(第1部門 センシング&コンシューマエレクトロニクス&ストレージ)
- 2-12 高精細FED用静電レンズ一体型FEAの試作と評価(第2部門 ディスプレイ)