鈴木 英一 | 電総研

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概要

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関連著者

• 鈴木 英一

  電総研

• 石井 賢一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 金丸 正剛

  電総研

• 前田 辰郎

  電子技術総合研究所電子デバイス部

• 金丸 正剛

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 坂本 統徳

  電総研

• 堤 利幸

  電総研

• 冨澤 一隆

  明治大学大学院理工学研究科

• 石井 賢一

  電総研

• 廣島 洋

  電総研

• 冨澤 一隆

  明治大学

• 小宮 祥男

  電総研

• 垂井 康夫

  電総研

• 我妻 洋

  電総研

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著作論文

• デバイス特性による Si ナノ細線の評価と自己抑止酸化による細線幅の改善
• 絶縁膜上での世界最小のゲ-ト長40nmMOSFETの試作に成功
• 極薄膜微結晶Si膜の作製とその特性
• ナノメ-タ-サイズSi量子細線の作製
• 3)Ta_2O_5-SiO_2-Si構造による可視光不揮発性メモリーおよび光導波路(第51回テレビジョン電子装置研究会)
• 光によるMAOS構造のトラップの測定 (半導体デバイス特集-6-)

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