石井 賢一 | 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

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概要

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関連著者

• 石井 賢一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 鈴木 英一

  電総研

• 鈴木 英一

  産業技術総合研究所

• 金丸 正剛

  電総研

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 鈴木 英一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 前田 辰郎

  電子技術総合研究所電子デバイス部

• 柳 永勲

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 柳 永勲

  産業技術総合研究所

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所

• 柳 永〓

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 金丸 正剛

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 堤 利幸

  電総研

• 冨澤 一隆

  明治大学大学院理工学研究科

• 石井 賢一

  電総研

• 廣島 洋

  電総研

• 冨澤 一隆

  明治大学

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著作論文

• デバイス特性による Si ナノ細線の評価と自己抑止酸化による細線幅の改善
• 絶縁膜上での世界最小のゲ-ト長40nmMOSFETの試作に成功
• 新しいダブルゲートMOSFET技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 新しいダブルゲートMOSFET技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 極薄膜微結晶Si膜の作製とその特性
• ナノメ-タ-サイズSi量子細線の作製

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