デバイス特性による Si ナノ細線の評価と自己抑止酸化による細線幅の改善
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概要
著者
-
堤 利幸
電総研
-
石井 賢一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
冨澤 一隆
明治大学大学院理工学研究科
-
鈴木 英一
電総研
-
石井 賢一
電総研
-
金丸 正剛
電総研
-
廣島 洋
電総研
-
冨澤 一隆
明治大学
-
金丸 正剛
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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