ヘテロ接合ホットエレクトロン半導体素子のモンテカルロ解析

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概要

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• Monte Carlo simulations of AlGaAs/GaAs heterojunction FET's and bipolar transistors are reported. The electron motion is solved by a particle model, while the hole motion is solved by a conventional hydrodynamic model. It is shown that the hot-electron injection structure due to an abrupt heterpjunction source is effective for a submicron FET to improve the cut-off frequency f_T. Also shown is that the compostional grading of AlGaAs in the base region of a bipolar transistor is effective to cause the ballistic acceleration of electrons in the base region, resulting in a high collector current density of above 1 mA/μm^2. The current-gain cut-off frequency f_T reaches 150GHz when the size of a transistor is properly designed.

• 明治大学の論文

著者

• 冨澤 一隆

  明治大学大学院理工学研究科

• 冨澤 一隆

  明治大学

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