超高真空マクスウエル応力顕微鏡によるエミッタ材料の評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
超高真空走査型マクスウエル応力顕微鏡(UHV-SMM)を用いて、エミッタ材料の評価を行った。SMMは、探針に交流電圧を印加することにより、試料の表面形状及び表面電位を、同時に検出することができる装置である。測定した材料は、Si基板にフォトレジストを塗布して加熱処理及びArイオン注入したもの、窒素及びボロンをドープしたダイヤモンド、及びSi基板にスパッタにより堆積した炭素薄膜である。測定結果から、フォトレジストの仕事関数は、加熱処理温度に大きく依存することが分かった。本稿では、様々な条件で処理を行ったエミッタ材料の表面形状、仕事関数の評価結果について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-12-11
著者
-
金丸 正剛
産業技術総合研究所
-
山本 恵彦
独立行政法人産業技術総合研究所 中央第2エレクトロニクス研究部門
-
横山 浩
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
-
井上 貴仁
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
-
横山 浩
電子技術総合研究所
-
山本 恵彦
筑波大学
-
伊藤 順司
電子技術総合研究所プロセス基礎研究室
-
伊藤 順司
産業技術総合研究所
-
山本 恵彦
筑波大学物理工学系
-
金丸 正剛
電子技術総合研究所
-
井上 貴仁
電子技術総合研究所
-
牧野 匡博
筑波大学
-
江原 啓吾
東洋鋼鈑株式会社
-
井上 貴仁
サントリー(株)生物医学研究所
-
伊藤 順司
電子技術総合研究所
-
山本 恵彦
筑波大学・物理工学系
-
金丸 正剛
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
関連論文
- 超高輝度フィールドエミッションディスプレイの試作(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- メモリー機能を有するフィールドエミッタアレイの作製 : 超高輝度フィールドエミッションディスプレイに向けて(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 純古典的2体剛体衝突モデルに基づく固体表面での分子線非弾性散乱の解析
- デザイナー液晶 : ハイブリッドとナノ構造制御からのアプローチ
- TFT制御FED(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- VTF-FEAを用いたCdTe X線イメージングデバイスの開発
- 単原子層グラファイトで修飾されたPt (111) 表面におけるC_2H_6分子の非弾性散乱ダイナミクス
- Pt(111)表面での単原子層グラファイト形成におけるCH_4分子線並進エネルギーの影響
- 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 1A07 表面層のSmA-SmC^*相転移点降下を用いた無欠陥FLCDの作製
- ラングミュア・ブロジェット法の高度化とその分子素子への応用 (特集:バイオ素子研究開発) -- (バイオ素子研究開発の成果)
- 21. ネマチック-等方相転移点上の液晶における粒子の摩擦力(ポスターセッション,ソフトマターの物理学2004-変形と流動-,研究会報告)
- IUVSTAだより
- 高収束電子ビームを目指した静電レンズ一体型フィールドエミッタの作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 薄膜立体化技術を用いたFEA作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 静電レンズ一体型FEAの試作と評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 : FEAを用いた新規アプリケーションの提案(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 : FEAを用いた新規アプリケーションの提案(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- フィールドエミッションアレイを用いたX線イメージング技術
- 高精細FED用ダブルゲートFEAの開発
- 高精細FED用ダブルゲートFEAの開発(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 山留め壁応力材を有効利用した合成地下外壁の開発 : 土水圧の作用に着目した面外長期荷重に対する設計法の提案
- 1PA11 磁場誘起トルク測定によるアンカリング強度の普遍測定 II
- HfC被覆ポリシリコンフィールドエミッタアレイ
- HfC被覆ポリシリコンフィールドエミッタアレイ(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Si FEAのHfC被覆による特性改善 : 引出ゲート付きHfC被覆Si FEAの作製と評価
- 3)[チュートリアル]MOSトランジスタ機能を有する電界放射型電子エミッタ(情報ディスプレイ)
- MOSトランジスタ機能を有する電界放射型電子エミッタ
- MOSトランジスタ機能を有する電界放射型電子エミッタ
- 不純物ド-ピングによるシリコン電界放射エミッタの特性制御
- pn接合シリコンエミッタの電子放出特性
- Si-FEAのフリッカーノイズ
- 走査型マクスウェル応力顕微鏡を用いたエミッタ材料の評価
- 分子線緩和分析による表面滞在時間計測における系統誤差
- 3)(W-Sc_2W_3O_)被覆型含浸型カソードの電子放出分布に関する検討(〔情報入力研究会情報ディスプレイ研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- (W-Sc_2W_3O_)被覆型含浸形カソードの電子放出分布に関する検討
- 2)低温動作が可能な含浸型カソード(画像表示研究会)
- 4)高電流密度動作カソードの開発と高精細テレビへの適用の検討(〔テレビジョン方式・回路研究会 テレビジョン電子装置研究会〕合同)
- 低温動作が可能な含浸形カソード
- 高電流密度動作カソードの開発と高精細テレビへの適用の検討 : 方式・回路 : 電子装置
- 走査型マスクウェル応力顕微鏡によるFe-42Ni合金表面のミクロ仕事関数分布計測
- 表面粗さの評価/パワースペクトル密度と傾きヒストグラム
- 走査型電気力顕微鏡による金属表面の観察
- 染色体エンジニアリング用マイクロ流体デバイスの開発 (日本電子顕微鏡学会第46回シンポジウム 材料のナノ・生物のナノ) -- (生物系セッション3 染色体のナノ操作・加工)
- 走査型プローブ顕微鏡による電界電子放射の計測
- 超高真空マクスウエル応力顕微鏡によるエミッタ材料の評価
- 1T28 走査型マックスウエル顕微鏡を用いた光誘起表面電位変化の検出
- 微小2分子膜を用いたマイクロ化学デバイスの研究開発 (特集:バイオ素子研究開発) -- (バイオ素子研究開発の成果)
- ERATO横山液晶微界面プロジェクト
- アンカリング強度測定の原理と実際 : 強電場法を中心に
- 3PD056 電気化学走査型マックスウエル顕微鏡を用いた表面電位分布イメージング
- 静電気力で生体分子をイメージングする : 走査型マックスウエル応力顕微鏡の利用
- 液晶の界面配向
- 液晶界面アンカリングの熱力学
- 走査型マクスウェル応力顕微鏡による有機薄膜における電気像のナノメータースケールイメージング
- 水中動作可能な走査型マックスウエル応力顕微鏡を用いた生体分子のin-situ観察
- 25p-R-3 液晶表面の曲率弾性定数の分子論
- 走査性マックスウエル応力顕微鏡を用いた光誘起表面電位変化の検出
- 2A04 簡単化された強電場法 : アンカリング強度の2次元マッピングへの展開
- デュアルプローブ近接場光学顕微鏡
- 微小2分子膜を用いたマイクロ化学デバイス
- メモリ機能を有するシリコンTFTで制御されたフィールドエミッタアレイ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- メモリ機能を有するシリコンTFTで制御されたフィールドエミッタアレイ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- FEA制御のためのポリシリコンTFTの構造最適化(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ポリシリコンTFT一体型HfC被覆フィールドエミッタアレイ(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 超音速分子線技術を用いたCH_4分子とPt(111)-(2×2)-O表面との相互作用に関する研究
- Pt(111)表面でのCH_4分子の解離吸着反応に及ぼすCs吸着の影響と反応過程
- CH_4分子により修飾されたPt(111)表面の仕事関数
- 分子線飛行時間計測法によるPt(111)表面でのアルカン分子の衝突過程の研究
- 真空マイクロエレクトロニクスの現状
- 1C10 アゾベンゼン誘導体の光異性化反応を用いた液晶サスペンションの光変調(2004年日本液晶学会討論会)
- 局所トンネル障壁高さ計測
- 液晶を用いた光イメージング
- 磁性材料のナノスケール計測技術 : カーボンナノチューブMFMとスピンエレクトロニクスへの展開
- 表面改質によるシリコンフィールドエミッタの特性向上
- Siフィールドエミッタの表面改質による真空封止処理耐性の向上
- 真空マイクロエレクトロニクスの展望
- 真空マイクロエレクトロニクスの展望
- 電流制御型シリコンエミッタ
- 電流制御型シリコンエミッタ
- ナノメートル加工の応用(1) -真空マイクロエレクトリニクスへの応用-
- 液晶性単分子膜の光誘起配向波 : 非平衡ソフトマターにおける時空間構造(最近の研究から)
- SP01 液晶の界面現象 : 過去,現在,未来
- 表面化学反応における仕事関数の役割
- 超音速分子線散乱技術を用いた表面化学反応の研究
- 材料表面の電子物性計測と真空
- 熱エネルギー原子線散乱法による吸着脱離過程の測定
- 超音速分子線散乱技術を用いた表面化学反応の研究
- 第2回真空電子源国際会議 -真空電子源の源流から大海原への船出まで-
- 熱電子放出型電子源発展の歴史
- 単原子層グラファイトで修飾されたPt (111) 表面におけるC_2H_6分子の非弾性散乱ダイナミクス
- 電界放出電子源の今昔
- 第1回真空電子源国際会議(IVESC'96)に参加して
- 12-5 Vertical Thin Film Field Emitter Arrayを用いたCdTe X線イメージングデバイス(第12部門 センシング2)
- 12-6 FEA駆動CdTe-X線イメージセンサ(第12部門 情報センシング2)
- 14-6 高精細FED用ダブルゲートFEA(第14部門 情報ディスプレイ2)
- 1-3 電流量減少を抑制するダブルゲートFEA構造の提案(第1部門 情報ディスプレイ&ストレージ)
- 1-6 FEA駆動フォトンカウンティング型CdTe-X線イメージングデバイス(第1部門 センシング&コンシューマエレクトロニクス&ストレージ)
- 2-12 高精細FED用静電レンズ一体型FEAの試作と評価(第2部門 ディスプレイ)