不純物ド-ピングによるシリコン電界放射エミッタの特性制御
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 超高輝度フィールドエミッションディスプレイの試作(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- メモリー機能を有するフィールドエミッタアレイの作製 : 超高輝度フィールドエミッションディスプレイに向けて(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- TFT制御FED(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- VTF-FEAを用いたCdTe X線イメージングデバイスの開発
- 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 高収束電子ビームを目指した静電レンズ一体型フィールドエミッタの作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 薄膜立体化技術を用いたFEA作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 静電レンズ一体型FEAの試作と評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 : FEAを用いた新規アプリケーションの提案(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 : FEAを用いた新規アプリケーションの提案(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- フィールドエミッションアレイを用いたX線イメージング技術
- 高精細FED用ダブルゲートFEAの開発
- 高精細FED用ダブルゲートFEAの開発(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- デバイス特性による Si ナノ細線の評価と自己抑止酸化による細線幅の改善
- 絶縁膜上での世界最小のゲ-ト長40nmMOSFETの試作に成功
- HfC被覆ポリシリコンフィールドエミッタアレイ
- HfC被覆ポリシリコンフィールドエミッタアレイ(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Si FEAのHfC被覆による特性改善 : 引出ゲート付きHfC被覆Si FEAの作製と評価
- 3)[チュートリアル]MOSトランジスタ機能を有する電界放射型電子エミッタ(情報ディスプレイ)
- MOSトランジスタ機能を有する電界放射型電子エミッタ
- MOSトランジスタ機能を有する電界放射型電子エミッタ
- 不純物ド-ピングによるシリコン電界放射エミッタの特性制御
- pn接合シリコンエミッタの電子放出特性
- Si-FEAのフリッカーノイズ
- 走査型マクスウェル応力顕微鏡を用いたエミッタ材料の評価
- プラズマガンを用いた高出力パルス重イオンビーム源の開発
- 両極性パルス加速器の開発
- 超高真空マクスウエル応力顕微鏡によるエミッタ材料の評価
- メモリ機能を有するシリコンTFTで制御されたフィールドエミッタアレイ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- メモリ機能を有するシリコンTFTで制御されたフィールドエミッタアレイ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- FEA制御のためのポリシリコンTFTの構造最適化(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ポリシリコンTFT一体型HfC被覆フィールドエミッタアレイ(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- タワー型電子源の諸特性
- 低電圧化シリコン微構造電子源
- 真空マイクロエレクトロニクスの現状
- 極微小収束電子銃の試作
- 縦型金属薄膜フィールドエミッタ
- フィールドエミッションディスプレイ(FED)
- 集積型電界放出電子源の製作
- 高安定化収束電子銃の開発
- シリコン電界放射列の放射特性
- 第7回真空マイクロエレクトロニクス国際会議報告
- ディスクエッジ形電解放射エミッタの製作
- 6)〔チュートリアルJ〕微小フィールドエミッタを利用した面電子源とその応用(情報ディスプレイ研究会)
- 微小フィールドエミッタを利用した面電子源とその応用 : 情報ディスプレイ
- 4)微小フィールドエミッタアレイの特性とその応用(情報入力研究会)
- 微小フィールドエミッタアレイの特性とその応用 : 情報入力
- 極微小真空管 : 真空マイクロエレクトロニクス(波形等化技術)
- 微小フィ-ルドエミッタアレイとその応用 (マイクロマシニング)
- 第3回真空マイクロエレクトロニクス国際会議報告
- リチウムイオンを注入したMgIn_2O_4薄膜の高いキャリア電子生成
- 表面改質によるシリコンフィールドエミッタの特性向上
- Siフィールドエミッタの表面改質による真空封止処理耐性の向上
- 真空マイクロエレクトロニクスの展望
- 真空マイクロエレクトロニクスの展望
- 電流制御型シリコンエミッタ
- 電流制御型シリコンエミッタ
- ナノメートル加工の応用(1) -真空マイクロエレクトリニクスへの応用-
- 微小フィールドエミッタアレイとその応用
- 12-5 Vertical Thin Film Field Emitter Arrayを用いたCdTe X線イメージングデバイス(第12部門 センシング2)
- 12-6 FEA駆動CdTe-X線イメージセンサ(第12部門 情報センシング2)
- 14-6 高精細FED用ダブルゲートFEA(第14部門 情報ディスプレイ2)
- 1-3 電流量減少を抑制するダブルゲートFEA構造の提案(第1部門 情報ディスプレイ&ストレージ)
- 1-6 FEA駆動フォトンカウンティング型CdTe-X線イメージングデバイス(第1部門 センシング&コンシューマエレクトロニクス&ストレージ)
- 2-12 高精細FED用静電レンズ一体型FEAの試作と評価(第2部門 ディスプレイ)