リチウムイオンを注入したMgIn_2O_4薄膜の高いキャリア電子生成
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概要
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Optically transparent MgIn_2O_4 thin films were prepared on SiO_2 glass substrates by a radio-frequency sputtering method. Direct current conductivity of the as-sputtered film was lower than 10^<-9> S・cm^<-1>. Lithium ions were implanted to the films at rrom temperature to a total fluence of 2×10^<15>cm^<-2>. Carrier electrons were generated by the implantation. Conductivity of the as-implanted film was 8×10^<-2> S・cm^<-1> and the carrier-generation-efficiency was 〜2%. By the post-annealing at 300℃ , the efficiency drastically increased to 〜80% and the conductivity increased to 3 S・cm^<-1>. These results indicate that the inactive Li^+ ions in the as-implanted films are incorporated into the electrically active lattice sites during the post-annealing.
- 1997-03-01
著者
-
細野 秀雄
東京工業大学 フロンティア研究センター
-
細野 秀雄
東京工大 応用セラミックス研
-
川副 博司
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
田上 尚男
電子技術総合研究所
-
細野 秀雄
東京工業大学
-
田上 尚男
産業技術総合研究所
-
川副 博司
東京工業大学応用セラミクス研究所
-
川副 博司
東京工業大学
-
菊地 直人
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
植田 尚之
東京工業大学応用セラミックス研究所:(現)ソニー(株)中央研究所
-
植田 尚之
分子科学研究所
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