ホールドープしたSr_<1+χ>La_<1-χ>CrO_<4+δ>の電子伝導性
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概要
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Polycrystalline bodies of Sr_<1+χ>La_<1-χ>CrO_<4+δ>(0≤χ≤0.3)with a K_2NiF_4 structure were prepared and the temperature dependence of the electrical conductivity and Seebeck voltage at room temperature were measured. The temperature dependence of conductivity followed a functional form of exp[(-T_0/T)^α](α=1/3 or 1/4), which was characteristic of two-or three-dimensional variable-range hopping(VRH)model. The hopping conductivity showed that the crystal was non-metallic because the electronic states at the Fermi energy were localized. Values of T_0 in the three-dimensional VRH regime were in the range of 1-5×10^8 K. This was larger by two orders of magnitude than reported values in La_2CuO_4 which was insulating between room temperature and 2 K. Based on the VRH regime, the larger T_0 values were considered to be caused by the smaller localization radius of impurity states. All the samples were demonstrated to have a positive Seebeck coefficient. Further, the coefficient decreased with increasing doping level. The composition dependence of the Seebeck coefficient was discussed in relation to the changes with compositions in T_0 and the density of states in the vicinity of the Fermi energy.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1995-11-01
著者
-
小俣 孝久
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
-
細野 秀雄
東京工大 応用セラミックス研
-
川副 博司
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
笹本 忠
神奈川工科大学 応用化学科
-
井川 博行
神奈川工科大
-
井川 博行
神奈川工科大学
-
井川 博行
神奈川工科大学工学部
-
小俣 孝久
神奈川工科大学工業化学工学科
-
川野 敬
神奈川工科大学工業化学工学科
-
細野 秀雄
分子科学研究所
-
溝口 拓
東京工業大学工業材料研究所
-
川野 敬
神奈川工大
-
井川 博行
神奈川工科大学応用化学科
-
笹本 忠
神奈川工科
-
笹本 忠
神奈川工科大学
-
溝口 拓
大阪工業技術研究所
-
川副 博司
東京工業大学応用セラミクス研究所
-
川副 博司
東京工業大学
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