ナノ構造を利用したセメント鉱物C12A7の金属化 : 高透光性導電体薄膜の作製と低仕事関数を利用した電子注入電極への応用
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概要
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- 日本表面科学会の論文
- 2008-01-10
著者
-
細野 秀雄
東京工業大学 フロンティア研究センター
-
神谷 利夫
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
平野 正浩
Jst
-
細野 秀雄
東京工業大学
-
宮川 仁
物材機構
-
平野 正浩
Jst‐erato
-
宮川 仁
東京工業大学 フロンティア研究センター/応用セラミックス研究所
-
金 起範
東京工業大学 フロンティア研究センター/応用セラミックス研究所
-
平野 正浩
東京工業大学 フロンティア研究センター/応用セラミックス研究所
-
神谷 利夫
東京工業大学工学部
-
Katase Takayoshi
Aterials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
神谷 利夫
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
神谷 利夫
東京工業大学 応用セラミックス研究所
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