神谷 利夫 | Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
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概要
関連著者
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Katase Takayoshi
Aterials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
神谷 武志
東大工
-
平野 正浩
Jst
-
平野 正浩
Jst‐erato
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神谷 武志
東京大学大学院電子工学専攻
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神谷 利夫
東京工業大学工学部
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Hosono Hideo
Frontier Research Center Tokyo Institute Of Technology:erato-sort Jst In Frontier Research Center To
-
神谷 利夫
東京工業大学応用セラミックス研究所
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細野 秀雄
東工大
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Hosono H
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
平松 秀典
Erato-sorst Jst
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Hosono Hideo
Tokyo Inst. Technol. Yokohama
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神原 陽一
JST-TRIP
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柳 博
東工大応セラ研
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神谷 利夫
東工大応セラ研
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Hosono H
Erato-sorst Jst C/o Frontier Collaborative Research Center (fcrc) Tokyo Institute Of Technology
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Hosono H
Erato-sorst Japan Science And Technology Agency (jst) In Frontier Research Center Tokyo Institute Of
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Hosono H
Nagoya Inst. Technology Nagoya
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細野 秀雄
東工大応セラ研:erato-sorst Jst:東工大フロンティア研究センター
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Fortmann C
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
-
Shimizu I
Osaka Univ. Osaka Jpn
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Hosono Hideo
Erato-sorst Jst Frontier Collaborative Research Center Tokyo Institute Of Technology
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細野 秀雄
東工大応セラ研
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細野 秀雄
東京工業大学 フロンティア研究センター
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細野 秀雄
東京工業大学
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Hosono Hideo
Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
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KAMIYA Toshio
Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology
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平野 正浩
科技機構ERATO-SORST
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高橋 博樹
日大文理
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有井 一伸
日大院総合基礎
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井川 一美
日大院総合基礎
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YASUKAWA Masahiro
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
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KONO Toshio
Kochi Prefectural Industrial Technology Center
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松林 和幸
東大物性研
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上床 美也
東大物性研
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岡田 宏成
日大文理
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神原 陽一
科技機構ERATO-SORST
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太田 裕道
名古屋大学大学院工学研究科 化学・生物工学専攻
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植田 和茂
科学技術振興機構(jst):戦略的創造研究推進事業継続研究(erato-sorst):東京工業大学フロンティア創造共同研究センター(fcrc):九州工業大学工学部物質工学科
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Hirano M
Erato-sorst Japan Science And Technology Agency (jst) In Frontier Research Center Tokyo Institute Of
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Hirano M
Frontier Research Center Tokyo Institute Of Technology:erato-sorst Jst Frontier Research Center Toky
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上岡 隼人
科学技術振興機構(jst):戦略的創造研究推進事業継続研究(erato-sorst):東京工業大学フロンティア創造共同研究センター(fcrc)
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高橋 由起
日大院総合基礎
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渡辺 匠
東工大応セラ研
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Hirano M
Transparent Electro-active Materials Project Erato-sorst Japan Science And Technology Agency C/o Fro
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HOSONO Hideo
Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology
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UEDA Kazushige
Department of Pediatric Dentistry, Kyushu Dental College
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岡田 宏成
日大文理:jst-trip
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宮川 仁
物材機構
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Hosono Hideo
Institute For Molecular Science
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Hosono Hideo
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
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Hirano Masahiro
Frontier Research Center Tokyo Institute Of Technology:erato-sort Jst In Frontier Research Center To
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宮川 仁
東京工業大学 フロンティア研究センター/応用セラミックス研究所
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石田 憲二
京大院理
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中井 祐介
京大院理
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平野 正浩
東工大フロンティア
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細野 秀雄
科技機構ERATO-SORST
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平野 正浩
JST ERATO-SORST
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菅原 仁
京大院理物
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HOSONO Hideo
ERATO-SORST, JST and Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology
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植田 和茂
九工大
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上岡 隼人
科技団ERATO
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平松 秀典
科技団ERATO
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平野 正浩
科技団ERATO
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平野 正浩
東工大フロンティア:jst-erato Sorst
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平松 秀典
科技機構ERATO SORST
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Hirano Masahiro
Erato-sorst Japan Science And Technology Agency (jst) In Frontier Research Center Tokyo Institute Of
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野村 研二
科学技術振興機構ERATO-SORST
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神原 陽一
科学技術機構TRIP
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平松 秀典
科学技術機構ERATO SORST
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平野 正浩
科学技術機構ERATO SORST
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神谷 利夫
科学技術機構ERATO SORST
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細野 秀雄
科学技術機構ERATO SORST
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神谷 利夫
科技機構ERATO SORST
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Hirano Masahiro
Frontier Collaborative Research Center Tokyo Institute Of Technology
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KATASE Takayoshi
Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology
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Ueda K
Department Of Materials Science Kyushu Institute Of Technology
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Hirano Masahiro
Erato-sorst Jst In Frontier Research Center Tokyo Institute Of Technology
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TSURUMI Takaaki
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
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Tsurumi Takaaki
Department of Inorganic Materials, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Te
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Tan Yong
Microelectronics Research Centre Cavendish Laboratory University Of Cambridge:crest Jst (japan Scien
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Hosono Hideo
Erato-sorst Japan Science And Technology Agency (jst) In Frontier Collaborative Research Center (fcr
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Hosono Hideo
Frontier Collaborative Research Center Tokyo Institute Of Technology
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Ishida Kohtaro
Department Of Physics Faculty Of Science And Technology Science Uniersity Of Tokyo
-
Ishida Kohtaro
Department Of Physics Faculty Of Sciense And Technology Science University Of Tokyo
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Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
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KIM Sung
Frontier Collaborative Research Center, Tokyo Institute of Technology
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SHIMIZU Isamu
The Graduate School at Nagatsuta
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Ueda Kazushige
Department Of Internal Medicine Aiseikai Yamashina Hospital
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YANAGI Hiroshi
Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology
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Maeda Y
Deparment Of Information And Control Engineering Toyota Technological Institute
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FURUTA Yoshikazu
Hitachi Cambridge Laboratory
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MIZUTA Hiroshi
Hitachi Cambridge Laboratory
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NAKAZATO Kazuo
Hitachi Cambridge Laboratory
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KAMIYA Toshio
Microelectronics Research Centre, Cavendish Laboratory, University of Cambridge
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DURRANI Zahid
Microelectronics Research Centre, Cavendish Laboratory, University of Cambridge
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TANIGUCHI Kenji
Electronics, Information Systems and Energy Engineering, Osaka University
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Ishida Kohtaro
Depatment Of Physics Faculty Of Science And Technology Science University Of Tokyo
-
Durrani Zahid
Microelectronics Research Centre Cavendish Laboratory University Of Cambridge:crest Jst (japan Scien
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Fortmann Charles
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
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神谷 利夫
東工大
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Katase Takayoshi
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
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Maeda Y
Center For Microelectronic Systems Kyushu Institute Of Technology
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Hiramatsu Hidenori
Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology
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Maeda Y
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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Fortmann Charles
Interdisiplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
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Shimizu Isamu
Interdisiplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
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中野 智志
物材機構
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神原 陽一
JST TRIP
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亀卦川 卓美
物構研
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中野 智志
物質・材料研究機構 ナノ物質ラボ超高圧グループ
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神原 陽一
東工大フロンティアリサーチ
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原 一広
「応用物理」編集委員会
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廣沢 一郎
Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI)
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太田 裕道
名古屋大学工学研究科
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太田 裕道
名古屋大学大学院工学研究科:科学技術振興機構crest:科学技術振興機構erato-sorst
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平松 秀典
JST
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太田 裕道
JST
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太田 裕道
科技団ERATO
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植田 和茂
東工大工
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神谷 利夫
東工大工
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細野 秀雄
東工大工
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広沢 一郎
NEC
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広沢 一郎
高輝度光科学研究センター
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広沢 一郎
Nec分析評価センター
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広沢 一郎
Jasri
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廣沢 一郎
高輝度光科学研究センター(spring-8)
-
廣沢 一郎
(財)高輝度光科学研究センター利用研究促進部門i
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廣沢 一郎
財団法人高輝度光科学研究センター
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川村 竜登
東工大応セラ
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薮田 久人
キャノン先端融合研
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高田 一広
キャノン先端融合研
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島田 幹夫
キャノン先端融合研
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雲見 日出也
キャノン先端融合研
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野村 研二
ERATO-SORST
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細野 秀雄
東京工大 応用セラミックス研
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太田 裕道
名古屋大学大学院工学研究科
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清水 勇
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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IKEUCHI Kaoru
Department of Chemical Science and Technology, Graduate School of Advanced Technology and Science, T
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岡田 宏成
東北大金研強磁場センター
-
岡田 宏成
日本大学文理学部 物理学科
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柳 榑
東工大応セラ研
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廣沢 一郎
JASRI
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清水 勇
東工大
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Ahmed H
Univ. Cambridge Cambridge Gbr
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上岡 隼人
科技機構ERATO
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宮川 仁
科技機構ERATO
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Suzuki T
Free Electron Laser Research Institute Inc.
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広沢 一郎
Necデバイス評価技術研究所
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前田 佳輝
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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中畑 浩一
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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小丸 貴史
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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FORTMANN Charles
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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岡田 宏成
東北学院大工
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Kim J
Samsung Electro-mechanics Co. Ltd
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Tanaka Takeshi
Department Of Cardiology The Heart Institute Of Japan
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Takata Masaki
Riken Spring-8 Center:japan Synchrotron Radiation Research Institute:crest Jst
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Suzuki T
Nhk (japan Broadcasting Corp.) Tokyo
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NOMURA Takatoshi
Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology
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Hara K
Synthetic Crystal Research Laboratory Faculty Of Engineering Nagoya University
-
藪田 久人
広大総合科
-
薮田 久人
広大総合科
-
Kubota Yoshiki
Department Of Physical Science Osaka Prefecture University
-
HAYASHI Ken-ichi
Keio University
-
HAYASHI Katsuro
Frontier Collaborative Research Center, Tokyo Institute of Technology, and Transparent Electroactive
-
Suzuki Tatsuro
Department Of Electrical Engineering Shizuoka University
-
廣沢 一郎
財団法人高輝度光科学センター
-
Kim Jongsun
Samsung Electra-mechanics Co. Ltd.
-
中野 智志
物質・材料研究機構
-
Hara Kunihiro
Opto-electronics Research Laboratories Nec Corporation
-
AHMED Haroon
Microelectronics Research Centre, Cavendish Laboratory, University of Cambridge
-
MIZUTANI Nobuyasu
Department of Inorganic Materials, Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Technology
-
柳 博
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
Hara K
Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
-
HIRAMATSU Hidenori
ERATO-SORST, Japan Science and Technology Agency (JST), in Frontier Research Center, Tokyo Institute
-
KAMIYA Toshio
ERATO-SORST, Japan Science and Technology Agency (JST), in Frontier Research Center, Tokyo Institute
-
NOMURA Takatoshi
Frontier Collaborative Research Center, Tokyo Institute of Technology
-
KAMIYA Toshio
Frontier Collaborative Research Center, Tokyo Institute of Technology
-
金 起範
東京工業大学 フロンティア研究センター/応用セラミックス研究所
-
平野 正浩
東京工業大学 フロンティア研究センター/応用セラミックス研究所
-
宮川 仁
Frontier Collaborative Research Center, Tokyo Institute of Technology
-
植田 直人
Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology
-
神谷 利夫
Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology
-
平野 正浩
Frontier Collaborative Research Center, Tokyo Institute of Technology
-
細野 秀雄
Frontier Collaborative Research Center, Tokyo Institute of Technology
-
Hayashi Kunihiko
Superconductivity Research Laboratory International Superconductivity Technology Center
-
Nishimura Tadashi
Lsi Research & Development Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
-
Hosono Hideo
Aterials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology:frontier Research Center Tokyo Inst
-
藪田 久人
広大・総合科
-
Mohan Shyam
Dept. Of Applied Physics Univ. Of Tokyo
-
Nishimura T
Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation
-
Taen Toshihiro
Dept. of Applied Physics, Univ. of Tokyo
-
Yagyuda Hidenori
Dept. of Applied Physics, Univ. of Tokyo
-
Nakajima Yasuyuki
Dept. of Applied Physics, Univ. of Tokyo
-
Tamegai Tsuyoshi
Dept. of Applied Physics, Univ. of Tokyo
-
Komaru Takashi
Interdisiplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
-
Shimizu Satoshi
Interdisiplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
-
Kanbe Mika
Interdisiplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
-
Maeda Yoshiteru
Interdisiplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
-
Kamiya Toshio
Interdisiplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
著作論文
- 新材料部会講演 酸化物半導体新材料の設計とアモルファス酸化物TFT開発の現状
- 28aTL-1 遍歴強磁性体LaCoPOのP-NMR(28aTL Co酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23aQF-9 遍歴強磁性体LaCoPOのP-NMR(23aQF Co酸化物他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 酸化物半導体の薄膜トランジスタへの応用 (特集 高品質エピタキシャル薄膜の作製・デバイス化)
- 27pXS-5 自然多重量子井戸構造をもつ層状オキシカルコゲナイドの励起子光吸収(低次元物質)(領域5)
- 20aWB-1 紫外光領域における透明酸化物半導体 La CuOS-Se の光学非線形性
- 酸化物半導体を利用した透明薄膜トランジスタ : フレキシブルエレクトロニクスへの新たな可能性を開く
- セラミックスの電磁気的・光学的性質 II. 基礎電子状態の理解はセラミックスの研究にどう役立つか : 酸化物半導体のバンドラインナップを例として
- 28aPS-22 鉄族オキシニクタイド化合物LaFePO_F_x(x=0,0.06)(28aPS 領域8ポスターセッション(低温II(鉄砒素超伝導体,その他)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 20pPSA-26 FドープLaFePOの圧力効果(20pPSA 領域8ポスターセッション(低温:Mn酸化物,V酸化物,鉄オキシニクタイドなど),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aPS-87 層状構造の新しい超伝導体LaOFePの圧力効果(24aPS ポスターセッション(低温),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- ワイドギャップp型半導体LaCuOSeの高濃度正孔ドーピングと発光デバイス応用 (特集 高品質エピタキシャル薄膜の作製・デバイス化)
- 22pWH-14 Fe系層状超伝導体LaOFePの電気伝導特性と磁性(パイロクロア・その他超伝導,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 28pXQ-4 透明酸硫化物半導体LaCuOSにおける励起子量子ビートの観測(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
- 固体物理の応用 アモルファス酸化物半導体の物性とデバイス開発の現状
- 23aTH-3 アモルファス半導体In-Ga-Zn-O膜の構造と伝導(液体・アモルファス・その他,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- なぜアモルファス酸化物がフレキシブルデバイス用半導体として注目されているのか (特集 ディスプレイを支えるキーマテリアル)
- 高性能フレキシブルTFT実現に向けたアモルファス酸化物半導体の材料探索とフレキシブルTFT特性
- アモルファス酸化物半導体を能動層とする透明フレキシブルトランジスタ
- アモルファス透明酸化物半導体を用いた高性能フレキシブル薄膜トランジスタの室温形成
- ガラス基板上に低温成長させた多結晶シリコン薄膜の構造に与えるハロゲンの影響
- 20pPSA-25 Ni系オキシニクタイド超伝導体LaNiXO(X=P,As)の圧力効果(20pPSA 領域8ポスターセッション(低温:Mn酸化物,V酸化物,鉄オキシニクタイドなど),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 13aXD-3 ナノポーラス結晶 12CaO・7Al_2O_3 中の ns^2 型中心 Au^- からの発光(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
- フエムト秒シングルパルス干渉露光法によるグレーティングの作成と光学ディバイスへの応用
- High-Temperature Thermoelectric Properties of La-Doped Ba_Sr_xSnO_3 Ceramics
- Preparation of Semiconductive La-Doped BaSnO_3 by a Polymerized Complex Method and the Thermoelectric Properties
- Characterization of Tunnel Barriers in Polycrystalline Silicon Point-Contact Single-Electron Transistors
- Carrier Transport across a Few Grain Boundaries in Highly Doped Polycrystalline Silicon : Electrical Properties of Condensed Matter
- Superconductivity in Epitaxial Thin Films of Co-Doped SrFe_2As_2 with Bilayered FeAs Structures and their Magnetic Anisotropy
- Anion Incorporation-induced Cage Deformation in 12CaO・7Al_2O_3 Crystal
- Function Cultivation of Transparent Oxides Utilizing Built-In Nanostructure
- ナノ構造を利用したセメント鉱物C12A7の金属化 : 高透光性導電体薄膜の作製と低仕事関数を利用した電子注入電極への応用
- 室温で安定な新しいエレクライド12SrO・7Al_2O_3薄膜 : 薄膜,光学および電子輸送特性
- n型透明導電性酸化物の特徴と進展
- 透明材料のフェムト秒レーザーナノ加工による機能付与と加工メカニズム
- 透明酸化物半導体:透明導電性酸化物から開けた新しいフロンティア (特集 透明電子活性材料--基礎研究から応用を探る)
- 研究開発情報 自然ナノ構造を利用した新機能開拓--安定なエレクトライドの合成と冷電子源としての応用
- 23pWH-15 Characterization of Ba(Fe_Co_x)_2As_2 thin films by magnetization, transport and Hall measurements
- Optimization of Transparent Conductive Oxide for Improved Resistance to Reactive and/or High Temperature Optoelectronic Device Processing
- Control of Orientation for Polycrystalline Silicon Thin Films Fabricated from Fluorinated Source Gas by Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
- フェムト秒レーザーのシングルパルス干渉による透明物質のナノ加工
- Mechanism of Temperature Dependence of Piezoelectric Properties for Pb(Zr,Ti)O_3
- Fabrication of Polycrystalline Silicon Films from SiF_4/H_2/SiH_4 Gas Mixture Using Very High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition with In Situ Plasma Diagnostics and Their Structural Properties.
- Comparison of Microstructure and Crystal Structure of Polycrystalline Silicon Exhibiting Varied Textures Fabricated by Microwave and Very High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and Their Transport Properties
- Preparation of Bismuth Silicate Films on Si Wafer by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- High Critical Current Density 4MA/cm^2 in Co-Doped BaFe_2As_2 Epitaxial Films Grown on (La,Sr)(Al,Ta)O_3 Substrates without Buffer Layers
- 酸化物が電気を流す!
- Thermoelectric Properties of P -Type BaSnO3 Ceramics Doped with Cobalt
- Fabrication of Solar Cells Having SiH_2Cl_2 Based I-Layer Materials
- Role of Seed Crystal Layer in Two-Step-Growth Procedure for Low Temperature Growth of Polycrystalline Silicon Thin Film from SiF_4 by a Remote-Type Microwave Plasma Enhanced Chemieal Vapor Deposition
- Thermoelectric Properties of P-Type BaSnO_3 Ceramics Doped with Cobalt
- Calculation of Band Structures for Perovskite-Type Crystals Using Discrete Variational Xα Method
- 透明酸化物のナノ構造を活用した機能開拓 (特集/期待される創造科学技術開発研究)
- Mechanism of Diffuse Phase Transition in Relaxor Ferroelectrics
- Effects of Manganese Addition on Piezoelectric Properties of Pb(Zr_Ti_)O_3
- 酸化物が電気を流す!(ヘッドライン:こんなモノ!が電気を流す)