Role of Seed Crystal Layer in Two-Step-Growth Procedure for Low Temperature Growth of Polycrystalline Silicon Thin Film from SiF_4 by a Remote-Type Microwave Plasma Enhanced Chemieal Vapor Deposition
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1999-10-15
著者
-
神谷 武志
東京大学大学院電子工学専攻
-
神谷 武志
東大工
-
Fortmann C
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
-
Shimizu I
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
KAMIYA Toshio
Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology
-
Katase Takayoshi
Aterials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
Shimizu I
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
-
Shimizu Isamu
Imaging Science And Engineering Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
Kamiya Toshio
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
RO Kazuyoshi
The Graduate School at Nagatsuta, Tokyo Institute of Technology
-
Ro Kazuyoshi
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
-
神谷 利夫
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
FORTMANN Charles
Graduate School, Tokyo Institute of Technology
-
SHIMIZU Isamu
Graduate School, Tokyo Institute of Technology
-
Ro Kazuyoshi
Graduate School, Tokyo Institute of Technology
-
Fortmann Chales
Graduate School, Tokyo Institute of Technology
-
Kamiya Toshio
Kochi Prefectural Industrial Technology Center
-
神谷 武志
Department Of Gastroenterology And Metabolism Nagoya City University Graduate School Of Medical Scie
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