Characterization of Tunnel Barriers in Polycrystalline Silicon Point-Contact Single-Electron Transistors
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 2002-04-30
著者
-
神谷 武志
東京大学大学院電子工学専攻
-
神谷 武志
東大工
-
Tan Yong
Microelectronics Research Centre Cavendish Laboratory University Of Cambridge:crest Jst (japan Scien
-
Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
FURUTA Yoshikazu
Hitachi Cambridge Laboratory
-
MIZUTA Hiroshi
Hitachi Cambridge Laboratory
-
NAKAZATO Kazuo
Hitachi Cambridge Laboratory
-
KAMIYA Toshio
Microelectronics Research Centre, Cavendish Laboratory, University of Cambridge
-
DURRANI Zahid
Microelectronics Research Centre, Cavendish Laboratory, University of Cambridge
-
TANIGUCHI Kenji
Electronics, Information Systems and Energy Engineering, Osaka University
-
Durrani Zahid
Microelectronics Research Centre Cavendish Laboratory University Of Cambridge:crest Jst (japan Scien
-
Katase Takayoshi
Aterials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
Mizuta H
Hitachi Cambridge Laboratory:crest Jst (japan Science And Technology)
-
神谷 利夫
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
Nakazato K
Hitachi Cambridge Laboratory:crest Jst (japan Science And Technology)
-
Nakazato Kazuo
Hitachi Cambridge Lab. Hitachi Europe Cavendish Lab.
-
Kamiya Toshio
Kochi Prefectural Industrial Technology Center
-
Furuta Yoshikazu
Hitachi Cambridge Laboratory:crest Jst (japan Science And Technology)
-
神谷 武志
Department Of Gastroenterology And Metabolism Nagoya City University Graduate School Of Medical Scie
-
Taniguchi Kenji
Electronic Engineering At Osaka University
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