イオン打ち込みを利用したInGaAs/InAlAs量子井戸構造の混晶化
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概要
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ノンドープのInGaAs, InAlAs量子井戸構造にSiを打ち込んだ際のヘテロ界面における混晶化についてフォトルミネッセンス(PL)を用いて調べた。Si密度が2〜3×10^18>cm^-3>以上の時に短時間のアニールを行なうことによってGa【tautomer】Al相互拡散による混晶化が起こり、量子井戸のPLピークは高エネルギーシフトした。混晶化の原因としては打ち込み時にできるIII族の格子間原子が拡散する際に相互拡散がおきているためとわかった。イオンミキシング、Si自身のの影響はない。打ち込みがなければ混晶化は起きないが高温長時間のアニールではGa【tautomer】In相互拡散による低エネルギーシフトが見られた。相互拡散の拡散長は〜3.5nm程度であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-19
著者
-
神谷 武志
東京大学工学系研究科電子工学専攻
-
湯郷 成美
電気通信大学電子工学科
-
湯郷 成美
電気通信大学共同研究センター
-
神谷 武志
東京大学大学院電子工学専攻
-
山村 真一
電気通信大学電子工学科
-
木村 忠正
電気通信大学 電気通信学部 電子工学科
-
鈴木 和久
電気通信大学電子工学科
-
斉藤 理一郎
電気通信大学電子工学科
-
村田 道夫
住友電工
-
神谷 武志
東大工
-
木村 忠正
電気通信大学
-
木村 忠正
電気通信大学電子工学科
-
Katase Takayoshi
Aterials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
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