メタンプラズマ中に置かれたSiウェハー上の生成物
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
We studied the properties of films produced by cracking methane gases in a microwave discharge in the temperature range 700-1000°C, methane concentrations from 1 to 6% and discharge pressures from 300-6000 Pa.<BR>The deposits were identified by secondary electron microscopy and electron diffraction. It was found that the structure of deposited films could be classified into 5 types by deposition conditions; (amorphous, diamond, a, β-SiC and graphite).
著者
関連論文
- シリコンフォトニクスに向けた新しい発光材料 : Er_2SiO_5超格子結晶
- イオン打ち込みを利用したInGaAs/InAlAs量子井戸構造の混晶化
- 2008年度ノーベル物理学賞,化学賞の日本人受賞に思う
- 半導体デバイスの信頼性基礎講座(2)(RCJ故障物理研究委員会編) : LSIの寿命分布(信頼性基礎講座)
- CS-3-1 シリコン・フォトニクス技術への期待(CS-3.シリコン・フォトニクス技術の最新動向,シンポジウム)
- ナノテクノロジー時代のLSI技術動向(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
- 横断型科学技術の勧め
- 広がりを見せる"信頼性"
- ナノスケール高信頼性LSIの寿命分布 : 故障物理からのバスタブ曲線の考察(故障物理と信頼性)
- RDT研究会の紹介と活動報告
- 炭素の異常磁気抵抗の解釈
- 炭素材料のホール効果のドーピング依存の解釈
- グラファイトのホール効果とバンド パラメータの評価法
- 2a-M-1 照射したグラファイトのESR
- 29a-H-12 黒鉛へのイオン照射 (2) : マクロな表面損傷
- 1a-SG-1 黒鉛へのイオン照射 (1)
- イオン注入法による気相成長炭素繊維へのボロンおよびリンのド-ピング:電気的性質
- 29a-E-6 グラファイトへの窒素イオン注入: 電気的性貭
- 3a GE-12 BPの熱電能 I
- Er_xY_SiO_5光導波路の作製と評価 : シリコンフォトニクス用小型光増幅器の開発(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- スプレーCVD法によるEr_2SiO_5結晶薄膜の作製と評価(光パッシブコンポーネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- シリコン発光デバイス : 現状と展望
- シリコンをベースとする発光デバイス : 現状と展望
- 高信頼性半導体デバイスの寿命分布と故障メカニズム
- 原子層成長による原子層フラクタル超格子の作製と評価
- 半導体デバイスの信頼性物理の歴史と将来
- 中性子照射された黒鉛の電子スピン共鳴による研究(第2報) : 電子構造の研究
- 中性子照射された黒鉛の電子スピン共鳴による研究(第1報) : 結晶構造の回復
- シリコンフォトニクスの現状と将来
- 走査型トンネル顕微鏡(STM)の試作
- 走査型トンネル顕微鏡(STM)の試作-2-
- 31p-K-1 イオン注入されたグラファイトのESR
- 6a-N-13 graphiteの非線型現象III
- 1p-TC-11 熱分解黒鉛の非線型伝導現象(II)
- 15p-A-21 熱分解黒鉛の非線型伝導現象(I)
- 15p-A-14 炭素のバンドパラメータ(I)
- ダイヤモンドの核発生 : イオン効果を中心として
- 展望 私たちのダイヤモンド研究--第16回ダイヤモンドシンポジウムから
- ダイヤモンドの気相成長--核生成を中心として
- イオン技術と新炭素材料 (炭素材料工学の新しい展開)
- メタンプラズマ中に置かれたSiウェハー上の生成物
- "More than Moore"への展開(CMOS技術の限界,課題,新しい展開)
- Er_Y_SiO_5結晶導波路における導波特性の評価(光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS)、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般)
- Er_Y_SiO_5結晶導波路における導波特性の評価