横型pin-PDを用いたSi-OEICの設計
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概要
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CMOSプロセスで作成可能なpin-PDを試作・特性評価を行い、これを用いたSi-OEICを0.5μmCMOSトランジスタを用いて設計した。回路はCMOS、nMOSの両方のものを設計した。シミュレーションの結果、最高伝送速度はCMOSでは450Mb/s、nMOSでは350Mb/sという結果が得られた。チップは現在作成中である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-06-18
著者
-
土屋 昌弘
東京大学工学系研究科電子工学専攻
-
神谷 武志
東京大学工学系研究科電子工学専攻
-
神谷 武志
東京大学大学院電子工学専攻
-
神谷 武志
東大工
-
小山 幸行
東京大学工学部電子工学科
-
村井 真一
東京大学工学部電子工学科
-
Katase Takayoshi
Aterials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
Kamiya Toshio
Kochi Prefectural Industrial Technology Center
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