酸化物半導体を利用した透明薄膜トランジスタ : フレキシブルエレクトロニクスへの新たな可能性を開く
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概要
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アモルファス酸化物半導体(AOS)を能動層とする,透明な薄膜トランジスタ(TFT)が2004年11月に報告された.このTFTは,電界効果移動度が〜10cm^2(Vs)^<-1>とアモルファスシリコンのそれより10倍大きく,しかも通常のスパッタリングプロセスで,プラスチック基板上に形成できるため,有機ELなどの電流駆動デバイスのバックプレーンへの応用が期待されている.本稿では,AOSのこれまでのアモルファス半導体と比べた特徴と,最近の進歩について紹介する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-03-01
著者
-
細野 秀雄
東京工業大学 フロンティア研究センター
-
神谷 利夫
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
細野 秀雄
東京工業大学
-
神谷 利夫
東京工業大学工学部
-
神谷 利夫
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
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