MOSトランジスタ機能を有する電界放射型電子エミッタ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
電界放射型電子エミッタは,フラットパネルディスプレイなどへのデバイス応用が期待されているが,エミッタからの放出電流が時間的に変動することが実用化の妨げとなっている.我々は,P型およびn/P接合型のシリコン電界放射型電子エミッタのエミッション特性を詳細に検討して得られたエミッションモデルを基にして,電子エミッタの内部にMOSトランジスタ構造を作りつけた新しいエミッタを考案・製作し,このトランジスタの電流制御機能を利用して放出電流を安定化することに成功した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-25
著者
-
金丸 正剛
産業技術総合研究所
-
安室 千晃
産業技術総合研究所
-
平野 貴之
(株)神戸製鋼所
-
田上 尚男
電子技術総合研究所
-
伊藤 順司
電子技術総合研究所プロセス基礎研究室
-
田上 尚男
産業技術総合研究所
-
伊藤 順司
産業技術総合研究所
-
小澤 健
武蔵工業大学
-
金丸 正剛
電子技術総合研究所
-
安室 千晃
東海大学
-
伊藤 順司
電子技術総合研究所
関連論文
- 超高輝度フィールドエミッションディスプレイの試作(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- メモリー機能を有するフィールドエミッタアレイの作製 : 超高輝度フィールドエミッションディスプレイに向けて(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- TFT制御FED(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- VTF-FEAを用いたCdTe X線イメージングデバイスの開発
- 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 新しい希薄磁性半導体Zn_Ni_χTeの合成と評価
- 高収束電子ビームを目指した静電レンズ一体型フィールドエミッタの作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 薄膜立体化技術を用いたFEA作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 静電レンズ一体型FEAの試作と評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 : FEAを用いた新規アプリケーションの提案(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 : FEAを用いた新規アプリケーションの提案(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- フィールドエミッションアレイを用いたX線イメージング技術
- 高精細FED用ダブルゲートFEAの開発
- 高精細FED用ダブルゲートFEAの開発(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 画像表示
- 2.情報ディスプレイ(テレビジョン年報)
- 2H07 公的研究機関の社会インパクト評価の開発に向けた検討(評価(2),一般講演,第22回年次学術大会)
- ビーム物理研究における微小電子源の利用
- HfC被覆ポリシリコンフィールドエミッタアレイ
- HfC被覆ポリシリコンフィールドエミッタアレイ(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Si FEAのHfC被覆による特性改善 : 引出ゲート付きHfC被覆Si FEAの作製と評価
- 3)[チュートリアル]MOSトランジスタ機能を有する電界放射型電子エミッタ(情報ディスプレイ)
- MOSトランジスタ機能を有する電界放射型電子エミッタ
- MOSトランジスタ機能を有する電界放射型電子エミッタ
- 不純物ド-ピングによるシリコン電界放射エミッタの特性制御
- pn接合シリコンエミッタの電子放出特性
- Si-FEAのフリッカーノイズ
- 走査型マクスウェル応力顕微鏡を用いたエミッタ材料の評価
- 走査型マスクウェル応力顕微鏡によるFe-42Ni合金表面のミクロ仕事関数分布計測
- 表面粗さの評価/パワースペクトル密度と傾きヒストグラム
- プラズマガンを用いた高出力パルス重イオンビーム源の開発
- 両極性パルス加速器の開発
- 走査型プローブ顕微鏡による電界電子放射の計測
- 超高真空マクスウエル応力顕微鏡によるエミッタ材料の評価
- ヘテロダイン力検出法に基づく走査型マクスウェル応力顕微鏡の高分解能化 - 機械電気混変調法 -
- 走査型マクスウェル応力顕微鏡による表面の電気的イメージング
- 走査型マクスウェル応力顕微鏡(SMM) : ナノ構造デバイス・材料の電気物性評価に向けて
- メモリ機能を有するシリコンTFTで制御されたフィールドエミッタアレイ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- メモリ機能を有するシリコンTFTで制御されたフィールドエミッタアレイ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- FEA制御のためのポリシリコンTFTの構造最適化(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ポリシリコンTFT一体型HfC被覆フィールドエミッタアレイ(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 気相成長ダイヤモンドからの電子放出機構の解明
- タワー型電子源の諸特性
- 低電圧化シリコン微構造電子源
- 真空マイクロエレクトロニクスの現状
- Fe系多層膜の磁気特性, GMRおよびCEMS
- 極微小収束電子銃の試作
- 縦型金属薄膜フィールドエミッタ
- フィールドエミッションディスプレイ(FED)
- 集積型電界放出電子源の製作
- 高安定化収束電子銃の開発
- シリコン電界放射列の放射特性
- 第7回真空マイクロエレクトロニクス国際会議報告
- ディスクエッジ形電解放射エミッタの製作
- 6)〔チュートリアルJ〕微小フィールドエミッタを利用した面電子源とその応用(情報ディスプレイ研究会)
- 微小フィールドエミッタを利用した面電子源とその応用 : 情報ディスプレイ
- 4)微小フィールドエミッタアレイの特性とその応用(情報入力研究会)
- 微小フィールドエミッタアレイの特性とその応用 : 情報入力
- 極微小真空管 : 真空マイクロエレクトロニクス(波形等化技術)
- 第3回真空マイクロエレクトロニクス国際会議報告
- リチウムイオンを注入したMgIn_2O_4薄膜の高いキャリア電子生成
- 表面改質によるシリコンフィールドエミッタの特性向上
- Siフィールドエミッタの表面改質による真空封止処理耐性の向上
- フィールドエミッションディスプレイ(新しい画像出力装置)
- 真空マイクロエレクトロニクスの展望
- 真空マイクロエレクトロニクスの展望
- 電流制御型シリコンエミッタ
- 電流制御型シリコンエミッタ
- ナノメートル加工の応用(1) -真空マイクロエレクトリニクスへの応用-
- 第2回真空電子源国際会議 -真空電子源の源流から大海原への船出まで-
- 微小フィールドエミッタアレイとその応用
- フィールドエミッションディスプレイ(FED)
- 真空マイクロエレクトロニクス ( ミクロを創る 5.デバイス機能-2)
- 真空マイクロエレクトロニクス
- 真空マイクロエレクトロニクスの最近の進展
- 第6回真空マイクロエレクトロニクス国際会議報告
- 第5回真空マイクロエレクトロニクス国際会議報告
- 12-5 Vertical Thin Film Field Emitter Arrayを用いたCdTe X線イメージングデバイス(第12部門 センシング2)
- 12-6 FEA駆動CdTe-X線イメージセンサ(第12部門 情報センシング2)
- 14-6 高精細FED用ダブルゲートFEA(第14部門 情報ディスプレイ2)
- 1-3 電流量減少を抑制するダブルゲートFEA構造の提案(第1部門 情報ディスプレイ&ストレージ)
- 1-6 FEA駆動フォトンカウンティング型CdTe-X線イメージングデバイス(第1部門 センシング&コンシューマエレクトロニクス&ストレージ)
- 2-12 高精細FED用静電レンズ一体型FEAの試作と評価(第2部門 ディスプレイ)