材料表面の電子物性計測と真空
スポンサーリンク
概要
著者
-
佐々木 正洋
筑波大学大学院 数理物質科学研究科 物理工学系
-
山本 恵彦
独立行政法人産業技術総合研究所 中央第2エレクトロニクス研究部門
-
山本 恵彦
筑波大学物理工学系
-
佐々木 正洋
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
山本 恵彦
筑波大学・物理工学系
関連論文
- 純古典的2体剛体衝突モデルに基づく固体表面での分子線非弾性散乱の解析
- 単原子層グラファイトで修飾されたPt (111) 表面におけるC_2H_6分子の非弾性散乱ダイナミクス
- Pt(111)表面での単原子層グラファイト形成におけるCH_4分子線並進エネルギーの影響
- IUVSTAだより
- 第48回真空に関する連合講演会開催報告
- Si FEAのHfC被覆による特性改善 : 引出ゲート付きHfC被覆Si FEAの作製と評価
- Si-FEAのフリッカーノイズ
- 分子線緩和分析による表面滞在時間計測における系統誤差
- 3)(W-Sc_2W_3O_)被覆型含浸型カソードの電子放出分布に関する検討(〔情報入力研究会情報ディスプレイ研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- (W-Sc_2W_3O_)被覆型含浸形カソードの電子放出分布に関する検討
- 2)低温動作が可能な含浸型カソード(画像表示研究会)
- 4)高電流密度動作カソードの開発と高精細テレビへの適用の検討(〔テレビジョン方式・回路研究会 テレビジョン電子装置研究会〕合同)
- 低温動作が可能な含浸形カソード
- 高電流密度動作カソードの開発と高精細テレビへの適用の検討 : 方式・回路 : 電子装置
- 走査型マスクウェル応力顕微鏡によるFe-42Ni合金表面のミクロ仕事関数分布計測
- 表面粗さの評価/パワースペクトル密度と傾きヒストグラム
- 超高真空マクスウエル応力顕微鏡によるエミッタ材料の評価
- 超音速分子線技術を用いたCH_4分子とPt(111)-(2×2)-O表面との相互作用に関する研究
- Pt(111)表面でのCH_4分子の解離吸着反応に及ぼすCs吸着の影響と反応過程
- CH_4分子により修飾されたPt(111)表面の仕事関数
- 分子線飛行時間計測法によるPt(111)表面でのアルカン分子の衝突過程の研究
- 局所トンネル障壁高さ計測
- GaAs表面再構成構造とトリメチルガリウムの表面反応
- 古くて新しい仕事関数
- 電子放出と研究課題
- 表面化学反応における仕事関数の役割
- 超音速分子線散乱技術を用いた表面化学反応の研究
- 材料表面の電子物性計測と真空
- 熱エネルギー原子線散乱法による吸着脱離過程の測定
- 超音速分子線散乱技術を用いた表面化学反応の研究
- 第2回真空電子源国際会議 -真空電子源の源流から大海原への船出まで-
- 熱電子放出型電子源発展の歴史
- サマリー・アブストラクト
- 単原子層グラファイトで修飾されたPt (111) 表面におけるC_2H_6分子の非弾性散乱ダイナミクス
- 電界放出電子源の今昔
- 第1回真空電子源国際会議(IVESC'96)に参加して
- 分子線による表面の研究
- Ba含浸カソードを用いた電子管のイオン衝撃によるエミッション低下現象のシミュレーション(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- カーボン被覆フィールドエミッタの電子放射モデルの検討(第1報)(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)