Ba含浸カソードを用いた電子管のイオン衝撃によるエミッション低下現象のシミュレーション(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
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概要
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含浸カソードを用いた電子管のイオン衝撃によるエミッション低下現象をシミュレーションする方法を開発した.この方法により,クライストロンやCRT電子銃の実動作状態でのイオン衝撃によるカソード表面のエミッション電流密度分布を明らかにすることができた.両電子銃共にカソード中心部にイオンビームが集中し,極度のエミッション低下現象が起こった.例えばクライストロン電子銃でAr圧力を5E-8 Torrにした場合,全エミッション電流は僅か3%ぐらいしか低下していないのに,カソード中心部では60%ものエミッション低下が起こっていることなどが明らかとなった.
- 2011-10-13
著者
-
佐々木 正洋
筑波大学大学院 数理物質科学研究科 物理工学系
-
福田 茂樹
高エネルギー加速器研究機構
-
松本 修二
高エネルギー加速器研究機構(kek)
-
樋口 敏春
東芝
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佐々木 正洋
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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松本 修二
高エネルギー加速器研究機構
-
樋口 敏春
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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松本 修二
高エネルギー加速器研究機構加速器研究施設
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福田 茂樹
高エネルギー加速器研究機構加速器研究施設
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