新しいダブルゲートMOSFET技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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概要
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最近、通常のプレーナー型MOSFETの微細化限界を打破できるデバイスとして、ダブルゲートMOSFETが注目されている。ダブルゲートMOSFETには、プレーナー型、フィン型、縦型の3種類があるが、新しいプロセスによる、フィン型および縦型ダブルゲートMOSFETのすぐれた特性を実験的に示す。さらに、独立した2つのゲートを有するフィン型ダブルゲートMOSFETでは、しきい値電圧を自在に制御できることを実験的に示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-23
著者
-
鈴木 英一
産業技術総合研究所
-
石井 賢一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
昌原 明植
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
鈴木 英一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
柳 永勲
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
柳 永勲
産業技術総合研究所
-
昌原 明植
産業技術総合研究所
-
柳 永〓
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
昌原 明植
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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