高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))
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概要
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高温イオン注入がメタルゲート/high-k CMOS SOI FinFETsの性能及び信頼性に及ぼす影響を調べた。高温イオン注入により,11nmの極薄SOI層において,イオン注入後も結晶状態が維持され,活性化アニールにより無欠陥な結晶が得られる。高温イオン注入を行ったnMOS及びpMOS FinFETsにおけるI_<on>-I_<off>、V_<th>ばらつき,BTI特性の何れも室温イオン注入に比べ改善することが分かった。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2014-01-22
著者
-
右田 真司
産業技術総合研究所
-
太田 裕之
産業技術総合研究所
-
森田 行則
産業技術総合研究所
-
遠藤 和彦
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
-
石川 由紀
産業技術総合研究所
-
昌原 明植
産業技術総合研究所
-
松川 貴
産業技術総合研究所
-
大内 真一
産業技術総合研究所
-
塚田 順一
産業技術総合研究所
-
水林 亘
産業技術総合研究所
-
柳 永〓
産業技術総合研究所
-
山内 洋美
産業技術総合研究所
-
[オノ]田 博
日新イオン機器株式会社
-
中島 良樹
日新イオン機器株式会社
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