長尾 昌善 | 独立行政法人産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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長尾 昌善
独立行政法人産業技術総合研究所
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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長尾 昌善
京都大学大学院工学研究科
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長尾 昌善
独立行政法人 産業技術総合研究所
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石川 順三
京都大学大学院工学研究科
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辻 博司
京都大学大学院工学研究科
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辻 博司
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
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長尾 昌善
産業技術総合研究所
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石川 順三
Dep. Of Electronics And Information Engineering Chubu Univ.
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酒井 滋樹
日新イオン機器株式会社
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金丸 正剛
独立行政法人産業技術総合研究所
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後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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Hirama Toshiyasu
Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences
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金丸 正剛
産業技術総合研究所
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TSUJII Hirohiko
Research Center for Charged Particle Therapy, National Institute of Radiological Sciences
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小島 俊彦
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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Tsuji Hiroshi
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
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金丸 正剛
電総研
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大和田 淳
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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Tsujii Hirohiko
Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences
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竹内 光明
独立行政法人科学技術振興機構イノベーションプラザ京都
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浦 利之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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Tsujii Hirohiko
バングラデシュ
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Tsujii Hirohiko
Division Of Radiation Medicine National Institute Fo Radiological Sciences
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科
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金丸 正剛
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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井上 和則
京都大学大学院工学研究科電子物性工学教室
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中村 好志
京都大学工学研究科
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金子 毅
Department Of Electronics Kyoto University
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池尻 忠司
日新イオン機器株式会社
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海勢頭 聖
日新イオン機器株式会社
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長井 宣夫
日新イオン機器株式会社
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後藤 康仁
京都大学工学研究科
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小島 俊彦
京都大学工学研究科
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辻 博司
京都大学工学研究科
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石川 順三
京都大学工学研究科
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金丸 正則
産業技術総合研究所
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石川 順三
Department Of Electronics And Information Engineering Chubu University
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吉田 知也
独立行政法人産業技術総合研究所
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清水 貴思
独立行政法人産業技術総合研究所
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長尾 昌善
Department of Electronics, Kyoto University
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井上 和則
Department of Electronics, Kyoto University
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笹木 高広
Department of Electronics, Kyoto University
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後藤 康仁
Department of Electronics, Kyoto University
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酒井 善基
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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柏木 祐
京都大学大学院工学研究科
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笹木 高広
Department Of Electronics Kyoto University
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金子 毅
シャープ株式会社
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吉田 知也
独立行政法人 産業技術総合研究所
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木本 恒暢
京大
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笹木 高広
日本電気株式会社, マイクロ波衛星通信事業部
著作論文
- イオン注入装置の帯電緩和素子への応用を目指したシリコンフィールドエミッタアレイの開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- イオン照射誘起薄膜変形(IIB)現象を利用したフィールドエミッタアレイ作製プロセスの開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 極微電子源の陰極材料としての遷移金属窒化物薄膜の低温形成
- 金属蒸着フィールドエミッタの作製と電子放出特性
- 半球形阻止電界型エネルギー分析器を用いたシリコン電界放出電子源のエネルギー分析
- 水素ガス導入下におけるSi:C電界放出電子源の経時変化の測定
- メモリ機能を有するシリコンTFTで制御されたフィールドエミッタアレイ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- メモリ機能を有するシリコンTFTで制御されたフィールドエミッタアレイ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ゲート電極付き窒化ニオブフィールドエミッタの作製
- イオンビームアシスト蒸着法により作製した窒化ニオブフィールドエミッタの電子放出特性
- 真空マイクロエレクトロニクス素子の陰極材料としての窒化ニオブ薄膜の作製と評価
- 雑音電力を用いた極微フィールドエミッタの安定性の定量的評価