極微電子源の陰極材料としての遷移金属窒化物薄膜の低温形成
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概要
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遷移金属窒化物薄膜は化学的に安定なこと, また高融点材料であること等から真空マイクロエレクトロニクスの電子源における陰極材料として期待される. しかしながらこれらの材料は一般的に合成に必要な温度が1000℃程度と高く, フラットパネルディスプレイなどガラス基板を使用する用途では利用しにくい. 我々はイオンビームアシスト蒸着法を利用することにより, 遷移金属窒化物の合成温度を500℃程度まで下げられることを示した. また300℃程度の低温でもX線光電子分光法により金属と窒素は結合していることが確認された. 本報ではZrNおよびNbN薄膜形成の例について, 組成, 結晶性, 抵抗率, 仕事関数等の膜物性と電子放出特性について述べる.
- 1997-12-12
著者
-
辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
-
長尾 昌善
独立行政法人産業技術総合研究所
-
長尾 昌善
京都大学大学院工学研究科
-
辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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