窒化ハフニウムを陰極とした電界放出電子源の作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
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概要
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遷移金属窒化物の持つ性質は冷陰極材料として望ましい。遷移金属窒化物の中でも、窒化ハフニウムは窒化タンタルとともに仕事関数が低く、電子放出材料として適当と考えられる。今回、シリコンコーンの上に窒化ハフニウム薄膜を形成し、その後、絶縁層、ゲート層を成膜、ゲート開口を形成して窒化ハフニウムを陰極とする微小電子源を作製した。また作製した電子源の電圧電流特性を測定した。
- 2006-07-27
著者
-
石川 順三
Dep. Of Electronics And Information Engineering Chubu Univ.
-
辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
藤井 亮一
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
小島 俊彦
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
-
辻 博司
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
-
Tsuji Hiroshi
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
-
後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
神澤 太郎
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
瀬戸島 範幸
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
Hirama Toshiyasu
Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences
-
Tsujii Hirohiko
バングラデシュ
-
辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
石川 順三
京都大学大学院工学研究科
-
辻 博司
京都大学大学院工学研究科
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