窒化物ターゲットを用いた高周波スパッタリング法によるハフニウム及びタンタル窒化物薄膜の形成と評価
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概要
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We have prepared hafnium and tantalum nitride thin films by magnetron sputter deposition and evaluated their properties. Unlike the common preparation method of the nitride, that is, reactive sputtering, we adopted the direct sputtering of nitride target by pure argon plasma. The nitrogen concentration of the films was approximately the same with the target for hafnium nitride, but was slightly lower than the target for tantalum nitride. The film properties such as crystallinity and work function was measured.
- 日本真空協会の論文
- 2002-03-20
著者
-
石川 順三
Dep. Of Electronics And Information Engineering Chubu Univ.
-
辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
石川 順三
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
-
紀和 伸政
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
石川 順三
京都大学大学院工学研究科
-
辻 博司
京都大学大学院工学研究科
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