Effect of C^-implantation on Nerve-Cell Attachment to Polystyrene Films
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概要
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The surfaces of the polystyrene films spin-coated on glass were modified by carbon negative-ion implantation with various ion doses from 1×1014 to 3×1016 ions/cm2 at 5 and 10 keV. The implantation conditions with and without a pattering mask were for investigation of the cell-attachment properties and for evaluation of surface physical properties of contact angle, respectively. The contact angles of modified surface were investigated by pure water drop and air bubble method. The lowest angle value of the implanted films at 5 and 10 keV were approximately 72° at 3×1015 ions/cm2 after dipping in the de-ionized water for 2 hours. The lowering of contact angles on C-implanted surfaces when increase the ion dose is due to formation of the OH and C-O bonds. Nerve-cell-attachment properties of modified surface were investigated by the nerve-like cell of rat adrenal pheochromocytoma (PC12h) in vitro. After 2 days culture of the PC12h cells, no cells attached on the polystyrene films implanted with low ion dose from 1×1014 to 3×1014 ions/cm2. On the polystyrene films implanted with the dose order of 1015 ions/cm2, the cells selectively attached only on the implanted region. Whereas on the surfaces implanted with high dose such as 1×1016 and 3×1016 ions/cm2 mostly cells attached on the implanted region, and some attached on the unimplanted region, as well as cells were abnormal in shape and large size. Therefore, the suitable dose implantation for the selective-attachment of nerve-cells on the polystyrene films implanted at 5 and 10 keV were obtained around the dose order of 1015 ions/cm2, and the best condition for the selective attachment properties was at 3×1015 ions/cm2 corresponding to the lowest contact angle.
- 日本真空協会の論文
- 2007-12-20
著者
-
石川 順三
Dep. Of Electronics And Information Engineering Chubu Univ.
-
辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
SOMMANI Piyanuch
Photonics and Electronics Science and Engineering Center, Kyoto University
-
SATO Hiroko
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
-
GOTOH Yasuhito
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
-
TSUJII Hirohiko
Research Center for Charged Particle Therapy, National Institute of Radiological Sciences
-
辻 博司
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
-
Gotoh Y
Tsukuba Univ. Ibaraki Jpn
-
Tsuji Hiroshi
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
-
Tsujii Hirohiko
Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences
-
Gotoh Yasuhito
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
-
SOMMANI Piyanuch
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
TSUJI Hiroshi
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
KITAMURA Tsuyoshi
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
HATTORI Mitsutaka
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
YAMADA Tetsuya
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
SATO Hiroko
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
GOTOH Yasuhito
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
ISHIKAWA Junzo
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
Gotoh Yoshikazu
Information Equipment Research Laboratory
-
Sommani Piyanuch
Photonics And Electronics Science And Engineering Center Kyoto University
-
Hirama Toshiyasu
Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences
-
Tsujii Hirohiko
バングラデシュ
-
Tsujii Hirohiko
Division Of Radiation Medicine National Institute Fo Radiological Sciences
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