三フッ化メタンプラズマ処理したシリコン電界放出電子源の表面状態と電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
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概要
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三フッ化プラズマ処理を施したシリコン電界放出電子源の電子放出特性の経時変化の原因を調べる目的で、同じ処理を施したシリコン基板の表面状態の分析を行なった。電子源の放出電流の経時変化を模擬するために、試料を真空中で加熱し、その際の表面状態の変化を調べた。表面状態の評価としては、X線光電子分光法による原子間結合状態の評価、ケルビンプローブによる仕事関数の評価を行なった。その結果、プラズマ処理の初期に表面を被覆していたフッ化炭素の層からはフッ素の脱離が見られた。処理直後の仕事関数はシリコンの仕事関数よりも高くなったが、加熱に伴い仕事関数は低下した。この結果は、電子放出特性から導いた結果と定性的に合致する。
- 2010-10-18
著者
-
石川 順三
Dep. Of Electronics And Information Engineering Chubu Univ.
-
辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
TSUJII Hirohiko
Research Center for Charged Particle Therapy, National Institute of Radiological Sciences
-
酒井 滋樹
日新イオン機器株式会社
-
後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科
-
辻 博司
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
-
Tsuji Hiroshi
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
-
遠藤 恵介
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
石川 順三
中部大学工学部電子情報工学科
-
Tsujii Hirohiko
Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences
-
後藤 康仁
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
Hirama Toshiyasu
Research Center For Charged Particle Therapy National Institute Of Radiological Sciences
-
Tsujii Hirohiko
バングラデシュ
-
Tsujii Hirohiko
Division Of Radiation Medicine National Institute Fo Radiological Sciences
-
辻 博司
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
辻 博司
京都大学大学院工学研究科
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